[發明專利]一種BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法

有效

• 申請號: 201711412264.8
• 申請日: 2017-12-23
• 公開（公告）號: CN108155092B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 牛斌;范道雨
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 陳鵬

1.一種BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，在外延層表面旋涂光刻膠并光刻，形成空氣橋下層膠，空出陽極接觸孔及陽極電極板區域；

步驟2，制作電鍍種子層金屬，在電鍍種子層金屬上旋涂空氣橋上層膠并光刻，形成空氣橋以及陽極電極板上層膠圖形；電鍍種子層金屬厚度為50nm～1μm，空氣橋上層膠厚度為0.1μm～10μm；

步驟3，電鍍空氣橋及陽極電極板金屬，并用有機溶劑將空氣橋上層膠去除，刻蝕裸露的電鍍種子層金屬，使用有機溶劑將空氣橋下層膠去除，完成陽極電極板以及連接陽極電極板與陽極接觸金屬的空氣橋結構的制作；

步驟4，光刻出臺面電隔離腐蝕掩膜圖形，并腐蝕外延層材料，去除此步驟中的光刻膠掩膜；

步驟5，旋涂BCB溶液，厚度包裹正面全部結構，包括空氣橋與陰極陽極臺面，并對BCB進行固化；

步驟6，光刻BCB支撐結構掩膜圖形，通過干法刻蝕，去除裸露部位的BCB介質，僅留下此步驟中的光刻掩膜下方的BCB支撐結構以及空氣橋下方的BCB介質，完成BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作。

2.根據權利要求1所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，步驟1中外延層表面旋涂的光刻膠厚度為0.2μm～6μm，且光刻膠厚度大于陽極接觸金屬總高度。

3.根據權利要求1或2所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，陽極接觸孔圓心與陽極接觸金屬圓心重合，陽極接觸孔直徑小于陽極接觸金屬上層圓盤直徑。

4.根據權利要求1所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，步驟3中電鍍空氣橋及陽極電極板金屬總厚度為0.1μm～10μm。

5.根據權利要求1所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，步驟3中有機溶劑為丙酮溶液。

6.根據權利要求1所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，步驟4通過濕法腐蝕去除掩膜圖形以外的外延層材料結構直至露出半絕緣襯底表面，去除光刻膠掩膜。

7.根據權利要求1所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，步驟5旋涂BCB溶液的厚度為0.2μm～10μm，覆蓋正面全部結構。

8.根據權利要求1所述的BCB輔助增強的肖特基二極管陽極空氣橋制作方法，其特征在于，所述BCB支撐結構距離陽極接觸金屬0.5μm～30μm。