[發(fā)明專利]發(fā)光結構、其制作方法以及發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711409128.3
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108565348A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 馬文濤;吾曉
• 申請（專利權）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;謝湘寧

1.一種發(fā)光結構，其特征在于，所述發(fā)光結構包括：

多個依次排列的微納米結構(2)，各所述微納米結構(2)包括發(fā)光材料(20)；

以及

密封膠層(3)，設置在各所述微納米結構(2)的至少部分表面上。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光結構，其特征在于，所述發(fā)光結構還包括：

第一基底(1)，各所述微納米結構設置在所述第一基底(1)的表面上，所述密封膠層(3)設置在各所述微納米結構的至少部分遠離所述第一基底(1)的表面上；以及

第二基底(4)，設置在所述密封膠層(3)的遠離所述第一基底(1)的表面上。

3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光結構，其特征在于，所述密封膠層(3)覆蓋各所述微納米結構的與所述第一基底(1)相對的裸露表面上。

4.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光結構，其特征在于，所述發(fā)光材料(20)為有機發(fā)光材料，所述第一基底(1)與所述第二基底(4)為透明導電基底。

5.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光結構，其特征在于，所述發(fā)光材料(20)為量子點發(fā)光材料，所述第一基底(1)為導光板或反射膜，所述第二基底(4)為擴散膜。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光結構，其特征在于，各所述微納米結構(2)的形狀為半球形、球形、棱錐形或圓錐形。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光結構，其特征在于，各所述微納米結構(2)包括固化樹脂，所述發(fā)光材料(20)分散在所述固化樹脂中。

8.一種發(fā)光結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步驟S1，采用微納米壓印技術形成多個依次排列的微納米結構；以及

步驟S2，在各所述微納米結構的至少部分表面上設置密封膠層。

9.根據(jù)權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S1中，在第一基底上形成多個所述微納米結構，所述步驟S2中，在各所述微納米結構的裸露表面上設置密封膠層，優(yōu)選在所述步驟S2后，所述制作方法還包括：

在所述密封膠層的遠離所述第一基底的表面上設置第二基板。

10.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結構，其特征在于，所述發(fā)光結構為權利要求1至7中任一項所述的發(fā)光結構。