[發(fā)明專利]存儲器及其制備方法、半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711408793.0
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108172577A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發(fā)明提供一種存儲器及其制備方法、半導(dǎo)體器件，在基底上形成多個呈陣列排布的有源區(qū)，每一有源區(qū)中均定義有一個第一離子布植區(qū)和兩個第二離子布植區(qū)，在基底內(nèi)形成多條字線，每一有源區(qū)均與兩條字線相交，其中兩條字線分別穿越有源區(qū)中位于第一離子布植區(qū)和第二離子布植區(qū)之間的部分，第一離子布植區(qū)位于兩條字線之間，第二離子布植區(qū)位于有源區(qū)中字線遠(yuǎn)離第一離子布植區(qū)的一側(cè)，并且第一離子布植區(qū)與第二離子布植區(qū)的底部相對于基底的上表面在基底中的深度位置互不相同，從而可以避免存儲晶體管之間的相互影響，提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種存儲器及其制備方法、半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲電容器的存儲晶體管，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲晶體管中形成有源區(qū)、漏區(qū)和柵極，所述柵極用于控制所述源區(qū)和漏區(qū)之間的電流流動，并連接至字線，所述源區(qū)用于構(gòu)成位線接觸區(qū)，以連接至位線，所述漏區(qū)用于構(gòu)成存儲節(jié)點(diǎn)接觸區(qū)，以連接至存儲電容器。

然而，目前的存儲器中，相鄰存儲晶體管之間會產(chǎn)生相互影響，進(jìn)而對存儲器的性能造成了影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種存儲器及其制備方法、半導(dǎo)體器件，每一有源區(qū)均與兩條字線相交，位于兩條字線之間的位線接觸區(qū)的深度與位于兩條字線外側(cè)的存儲節(jié)點(diǎn)接觸區(qū)的深度互不相同，形成非對稱結(jié)構(gòu)，以此減小相鄰器件之間的影響，提高半導(dǎo)體器件的性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種存儲器的制作方法，包括：

提供一基底，在所述基底上形成多個呈陣列排布的有源區(qū)，每一所述有源區(qū)中均定義有一個第一離子布植區(qū)和兩個第二離子布植區(qū)，兩個所述第二離子布植區(qū)分別位于所述第一離子布植區(qū)的兩側(cè)；以及

形成多條字線在所述基底內(nèi)，每一所述有源區(qū)均與兩條所述字線相交，以用于在所述有源區(qū)中分別構(gòu)成兩個存儲晶體管的柵極，其中兩條所述字線分別穿越所述有源區(qū)中位于所述第一離子布植區(qū)和所述第二離子布植區(qū)之間的部分，以利用所述字線使第一離子布植區(qū)和所述第二離子布植區(qū)相互分隔，所述第一離子布植區(qū)位于兩條所述字線之間，所述第二離子布植區(qū)位于所述有源區(qū)中所述字線遠(yuǎn)離所述第一離子布植區(qū)的一側(cè)，并且所述第一離子布植區(qū)與所述第二離子布植區(qū)的底部相對于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置互不相同。

可選的，所述第一離子布植區(qū)的底部相對于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置大于所述第二離子布植區(qū)的底部相對于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置。

可選的，形成所述字線的步驟包括：

形成多個第一凹槽在所述基底內(nèi)；

依次形成介質(zhì)層與第一導(dǎo)電層在所述基底的所述第一凹槽中，所述介質(zhì)層和所述第一導(dǎo)電層依次覆蓋所述第一凹槽的內(nèi)表面；

填充第二導(dǎo)電層在所述基底的所述第一凹槽中，所述第二導(dǎo)電層覆蓋所述第一導(dǎo)電層和所述介質(zhì)層；以及

對所述介質(zhì)層、所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行回刻蝕工藝，部分去除所述介質(zhì)層、所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層，以在所述第一凹槽中位于剩余的所述第二導(dǎo)電層、剩余的第一導(dǎo)電層和剩余的介質(zhì)層上方形成一第二凹槽；

其中，在同一所述有源區(qū)中，對應(yīng)在兩個不同的所述第一凹槽內(nèi)的兩個所述第二導(dǎo)電層的回刻量不同，使得兩個所述第二導(dǎo)電層的頂部相對于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置互不相同。

可選的，在同一所述有源區(qū)中，所述第一凹槽的深度相同，使得兩個所述第二導(dǎo)電層的底部相對于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置相同。