[發(fā)明專利]銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁鎳鈷鍍層的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711408698.0 | 申請日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN108060441B | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙陽;王曉明;朱勝;周超極;韓國峰;任智強;王啟偉;徐安陽 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍陸軍裝甲兵學(xué)院 |
| 主分類號: | C25D5/04 | 分類號: | C25D5/04;C25D3/56;C25D3/12;C25D5/14;C25D5/34 |
| 代理公司: | 32214 常州市江海陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 孫曉暉<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 環(huán)形 內(nèi)壁 鍍層 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁鎳鈷鍍層的制備方法,它是采用無槽電沉積技術(shù)制得;所述無槽電沉積技術(shù)是將作為陽極的鎳板蘸取堿性沉積液在作為陰極的銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁旋轉(zhuǎn),從而在銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁沉積鎳鈷鍍層。本發(fā)明采用無槽電沉積技術(shù),利用陽極與陰極之間的反復(fù)摩擦能夠有效解決常規(guī)電沉積過程中存在的針孔、麻點和結(jié)瘤等缺陷,得到的鎳鈷鍍層結(jié)構(gòu)致密,表面光滑,質(zhì)量較好,大大提高了銅質(zhì)環(huán)形件的使用壽命。而且本發(fā)明的方法得到的鎳鈷鍍層厚度可達(dá)800~1200μm,且硬度可達(dá)450~550HV,而且與基體結(jié)合力好,耐磨性好,能夠滿足苛刻環(huán)境的使用要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電沉積技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁鎳鈷鍍層的制備方法。
背景技術(shù)
目前,銅質(zhì)環(huán)形件常用的內(nèi)鍍層主要是純鎳鍍層或著鎳鐵鍍層。純鎳鍍層硬度較低,不能抵抗鋼坯的磨損,使用壽命較短。鎳鐵鍍層抗熱交變性能和抗電化學(xué)腐蝕較差,并且鍍液不易控制,控制不好會導(dǎo)致成品率低,實際使用壽命波動較大。
鎳鈷合金是一種性能優(yōu)異的鎳基合金,與純鎳鍍層和鎳鐵鍍層相比,鎳鈷鍍層除了擁有相似的物理化學(xué)性能外,還有兩大優(yōu)點:(1)硬度更高,尤其是高溫下仍能保持較高的硬度;(2)化學(xué)穩(wěn)定性更好,尤其是熱穩(wěn)定性和高溫耐磨損性能得到了較大的提高。
然而,由于水溶液中析氫、雜質(zhì)吸附、尖端放電等因素影響,采用常規(guī)電鍍方法在銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁制備鎳鈷鍍層存在以下不足:(1)晶粒通常較為粗大,且容易出現(xiàn)針孔、麻點和結(jié)瘤等缺陷,鍍層質(zhì)量不佳;(2)難以制備硬度和厚度均較高的鎳鈷鍍層。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述問題,提供一種鍍層質(zhì)量較好、硬度和厚度均較高的銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁鎳鈷鍍層的制備方法。
實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁鎳鈷鍍層的制備方法,它是采用無槽電沉積技術(shù)制得;所述無槽電沉積技術(shù)是將作為陽極的鎳板蘸取堿性沉積液在作為陰極的銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁旋轉(zhuǎn),從而在銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁沉積鎳鈷鍍層。
所述堿性沉積液配方如下:硫酸鎳220~280g/L,硫酸鈷0~50g/L,檸檬酸氨40g/L,乙酸氨40g/L,pH=7.5~8.0。沉積工藝參數(shù)如下:沉積電壓為8~14V,陽極轉(zhuǎn)速為100~300r/min,沉積時間為0.5~2h。
本發(fā)明在沉積鎳鈷鍍層之前還包括對銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁依次進行打磨、電凈除油、沉積打底鎳層等預(yù)處理。
所述電凈除油是將作為陰極的銅質(zhì)環(huán)形件底部封閉,然后注入電凈液,接著將作為陽極的鎳板置于電凈液中并旋轉(zhuǎn)。所述電凈液配方如下:氫氧化鈉25~40g/L,碳酸鈉20~40g/L,磷酸鈉40~160g/L,氯化鈉2~5g/L,pH=11~13。電凈工藝參數(shù)如下:電凈電壓為10V,陽極轉(zhuǎn)速為100~300r/min,電凈時間為30s。
所述沉積打底鎳層是將作為陰極的銅質(zhì)環(huán)形件底部封閉,然后注入打底液,接著將作為陽極的鎳板置于打底液中并旋轉(zhuǎn),從而在銅質(zhì)環(huán)形件內(nèi)壁沉積打底鎳層。所述打底液配方如下:硫酸鎳390~400g/L,氯化鎳15~25g/L,鹽酸19~22ml/L,冰醋酸68~70ml/L,pH=0.3~1.0。沉積工藝參數(shù)如下:沉積溫度為30~50℃,沉積電壓為12V,陽極轉(zhuǎn)速為100~300r/min,沉積時間為1min。
本發(fā)明的方法得到的鎳鈷鍍層的厚度為800~1200μm。
本發(fā)明的方法得到的鎳鈷鍍層的顯微硬度為450~550HV。
本發(fā)明具有的積極效果:
(1)本發(fā)明采用無槽電沉積技術(shù),利用陽極與陰極之間的反復(fù)摩擦能夠有效解決常規(guī)電沉積過程中存在的針孔、麻點和結(jié)瘤等缺陷,得到的鎳鈷鍍層結(jié)構(gòu)致密,表面光滑,質(zhì)量較好,大大提高了銅質(zhì)環(huán)形件的使用壽命。
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