[發明專利]表膜構件框架和使用該表膜構件框架的表膜構件

在審

• 申請號: 201711408496.6
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108227369A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 西村晃范
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/64
• 分類號: G03F1/64
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;侯劍英

本發明的目的在于提供一種表現出高的PID(表膜構件變形)抑制效果的表膜構件框架和使用它的表膜構件。本發明的表膜構件框架是多邊形框形狀的表膜構件框架，其特征在于，在表膜構件框架的角部內部形成有中空部。另外，本發明的表膜構件框架也可以在表膜構件框架的直線部內部形成有中空部，優選形成在表膜構件框架的角部內部的中空部和形成在直線部內部的中空部是連通的。

技術領域

本發明涉及表膜構件框架和使用該表膜構件框架而構成的光刻用表膜構件。

背景技術

在制造半導體器件、液晶顯示器等之際的光刻工序中，對涂敷有抗蝕劑的半導體晶圓、液晶用原板照射光來制作圖案，但是如果此時使用的光掩模和中間掩膜(以下稱為光掩模)上附著有異物，則除了由于該異物吸收光或使光彎折而導致所轉印的圖案發生變形或者邊緣粗糙以外，還會存在基底污黑或者尺寸、質量、外觀等受損的問題。

這些光刻工序通常在無塵室內進行，但是即使如此也難以保證曝光原版總是清潔。因此，一般采用對曝光原版設置被稱為表膜構件的除異物構件來進行曝光的方法。

這種表膜構件一般包括：框狀的表膜構件框架；張設于表膜構件框架的上端面的表膜；以及形成于表膜構件框架的下端面的氣密用襯墊等。其中的表膜包括對曝光用光表現出高的透射率的材料，氣密用襯墊采用粘合劑等。

只要對光掩模設置這種表膜構件，異物就不會直接附著于光掩模，而會附著于表膜構件上。并且，在光刻中只要使焦點對準到光掩模的圖案上即可，表膜構件上的異物就會與轉印無關，能抑制圖案的變形等問題。

然而，在這種光刻技術中，作為提高分辨率的手段，已推進曝光用光源的短波長化。目前為止，曝光用光源已從水銀燈的g線(436nm)、i線(365nm)轉向KrF準分子激光(248nm)、ArF準分子激光(193nm)，而且也在研究主波長為13.5nm的EUV(Extreme UltraViolet：遠紫外)光的使用。

當前，在將表膜構件貼附于光掩模時，出現了光掩模中發生變形的問題。在此將該變形稱為PID(Pellicle Induced Distortion：表膜構件引起的變形)。該PID會導致在光刻工序中形成的圖案的位置精度出現偏離，在半導體器件制造中成為大問題。

作為用于減少這種由表膜構件的貼附帶來的光掩模的變形的手段，專利文獻1公開了截面積為6mm²以下的表膜構件框架。另外，專利文獻2公開了為了在保持表膜構件框架的寬度、高度的狀態下使截面積變小而將截面形狀設為I形狀的表膜構件框架，專利文獻3公開了在內部并排設有多個中空部的表膜構件框架。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2009-25562號

專利文獻2：特開2011-7934號

專利文獻3：國際公開第2016/072149號

發明內容

發明要解決的問題

現有的這些表膜構件框架是考慮到表膜構件框架的變形是PID的一個因素而開發的。即，在將表膜構件框架貼附到比表膜構件框架平坦的光掩模的情況下，表膜構件框架沿著光掩模發生變形，而此時在表膜構件框架中會產生試圖返回原有狀態的應力(彈力)。因此，當撤去外力時，就會追隨表膜構件框架的變形而在光掩模中發生變形，因此為了減小該應力而使表膜構件框架的剛性變小。

然而，在專利文獻2的截面形狀為I形狀的表膜構件框架中，雖然具有PID的抑制效果，但是表膜構件框架的表面積增大，因此存在檢查范圍變大，作業效率降低的問題。