[發(fā)明專利]一種高可靠超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711406703.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108231909A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 古進(jìn);遲鴻燕;張麗;楊春梅;龔昌明;蔡美晨 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國振華集團(tuán)永光電子有限公司（國營第八七三廠） |
| 主分類號(hào)： | H01L29/861 | 分類號(hào)： | H01L29/861;H01L29/43;H01L21/329 |
| 代理公司： | 貴陽睿騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷慶紅 |
| 地址： | 550018 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 管體 復(fù)合二極管 超小型 制備方法和應(yīng)用 玻璃鈍化 電極引線 保護(hù)層 高可靠 電極 繼電器 芯片 高壓保護(hù)功能 瞬態(tài)電壓抑制 線圈保護(hù)電路 二極管制造 反向電動(dòng)勢 二極管 安裝方式 高溫?zé)Y(jié) 市場推廣 續(xù)流電路 熔焊 外圍 吸收 應(yīng)用 | ||
1.一種高可靠超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管，其特征在于，包括管體(6)、引線(5)和保護(hù)層(3)；其中所述的管體(6)由兩根電極(4)和芯片A(1)、芯片B(2)組成；所述的芯片A(1)連接在電極(4)的一端，所述的芯片B(2)連接在另一電極的一端，所述的芯片A(1)和芯片B(2)焊接成一體構(gòu)成管體(1)；所述的管體(1)外圍由保護(hù)層(3)包裹保護(hù)；所述的電極(4)和引線(5)高溫?zé)Y(jié)后，焊成一個(gè)整體的電極引線，電極引線和管體(6)高溫下熔焊鍵和，即得。
2.如權(quán)利要求1所述的超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管，其特征在于，所述的管體直徑小于Φ1.5mm，管體長度小于1.8mm；所述的芯片直徑為Φ0.6mm～Φ0.8mm。
3.如權(quán)利要求1所述的超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管，其特征在于，所述的電極為鎢電極；所述鎢電極的尺寸為Φ0.6mm×0.7～Φ0.8mm×0.7；所述的引線為鐵鎳絲引線，所述鐵鎳絲引線的直徑為Φ0.2mm。
4.如權(quán)利要求1所述的超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管，其特征在于，所述芯片A(1)為具有高壓保護(hù)功能的芯片，其制作方法為：以N型單晶硅片為材料通過單面深結(jié)擴(kuò)散工藝形成單向PN結(jié)，通過電子束蒸發(fā)或真空鍍膜的方式在管芯表面制作厚度為10μm～15μm金屬薄膜層，制作完成后將管芯采用綠光激光切割成直徑Φ0.6mm～Φ0.8mm，對(duì)芯片表面進(jìn)行處理，即得；
所述的芯片B(2)為具有瞬態(tài)電壓抑制功能的芯片，其制作方法為：使用N型單晶硅片作為襯底材料，通過雙面深結(jié)擴(kuò)散工藝，形成雙向PN結(jié)，通過電子束蒸發(fā)或真空鍍膜的方式在管芯表面制作厚度為10μm～15μm金屬薄膜層，制作完成后將管芯采用綠光激光切割成直徑Φ0.6mm～Φ0.8mm，對(duì)芯片表面進(jìn)行處理，即得。
5.一種高可靠超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)、芯片焊接：將鎢電極和鐵鎳絲引線高溫?zé)Y(jié)后，焊成一個(gè)整體的電極引線，然后將電極引線和管體在600℃～700℃的高溫下熔焊鍵和；
(2)、表面鈍化，將步驟(1)熔焊鍵和后的管體通過酸腐蝕3～4次，每次1min～4min；堿腐蝕2次，每次1min～4min；鈍化3～5次，每次1min～4min；
(3)、封裝成型，在鈍化后的管體表面上均勻涂覆玻璃粉漿，放入低溫成型爐中低溫成型4h～6h，設(shè)置升溫速率10/min～15℃/min，升溫時(shí)間45min～65min，燒結(jié)溫度620℃～660℃，恒溫時(shí)間5min～40min，降溫速率≤10℃/min。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步驟(3)中酸腐蝕中酸腐蝕液按質(zhì)量百分比是分析純的65％～68％的硝酸、≥40％的氫氟酸、95％～98％的硫酸、≥99.5％的冰乙酸、≥99.5％的磷酸按體積比1:1.5:1:2：1的混合溶液。
7.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步驟(3)中堿腐蝕中堿腐蝕液為3％～6％的氫氧化鉀溶液，堿腐蝕液溫度為90℃～95℃。
8.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步驟(3)中鈍化液按質(zhì)量百分比是≥30％的雙氧水、≥85％的磷酸和離子水按2:2:4混合的混合液。
9.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步驟(4)中玻璃粉的主要含量為二氧化硅、氧化鋅、三氧化二硼，其膨脹系數(shù)為4.3×10-6/℃～4.5×10-6/℃。
10.一種高可靠超小型玻璃鈍化復(fù)合二極管，其特征在于，所述復(fù)合二極管在微型繼電器的續(xù)流電路中的應(yīng)用。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
