[發(fā)明專利]基板處理裝置、基板處理系統(tǒng)以及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711406516.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108257891B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 井上正史;田中孝佳;巖田智巳;谷口寬樹;新莊淳一;高橋弘明;樋口鲇美;大跡明;中野佑太 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 系統(tǒng) 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,具備:
紫外線照射裝置,位于第一處理室和第二處理室的邊界,并且能夠向所述第一處理室和所述第二處理室照射紫外線;
第一基板保持裝置,配置于所述第一處理室,將基板保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置;
第二基板保持裝置,配置于所述第二處理室,將基板保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置;
遮光裝置,以將所述紫外線照射裝置和所述第二基板保持裝置之間的空間分隔為所述紫外線照射裝置側(cè)的第一空間和所述第二基板保持裝置側(cè)的第二空間的方式配置,并且遮擋來自所述紫外線照射裝置的紫外線,而且使所述第一空間內(nèi)的氣體和所述第二空間內(nèi)的氣體連通;
氣體供給裝置,向所述第一空間供給氣體;
第一移動(dòng)裝置,
所述遮光裝置具備對(duì)紫外線具有遮光性的第一板部和第二板部,
在所述第一板部形成有至少一個(gè)第一貫通孔,
在所述第二板部形成有至少一個(gè)第二貫通孔,
所述第一板部和所述第二板部以所述至少一個(gè)第一貫通孔的位置和所述至少一個(gè)第二貫通孔的位置在與各個(gè)板面平行的方向上互相錯(cuò)開的配置關(guān)系,互相隔開間隔且對(duì)置配置,
所述第一移動(dòng)裝置使所述第一板部和所述第二板部在第一位置和第二位置之間相對(duì)地進(jìn)行移動(dòng),所述第一位置是所述至少一個(gè)第一貫通孔和所述至少一個(gè)第二貫通孔互相錯(cuò)開的位置,所述第二位置是所述至少一個(gè)第一貫通孔和所述至少一個(gè)第二貫通孔在位置上互相對(duì)齊的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述至少一個(gè)第一貫通孔包括多個(gè)第一貫通孔,
所述至少一個(gè)第二貫通孔包括多個(gè)第二貫通孔,
在所述第二位置上,所述多個(gè)第一貫通孔與所述多個(gè)第二貫通孔一對(duì)一地對(duì)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,還具備:
第三基板保持裝置,在所述遮光裝置和所述紫外線照射裝置之間將基板保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,還具備:
第一氣體供給裝置,向所述第一處理室供給氣體。
5.一種基板處理裝置,具備:
紫外線照射裝置,位于第一處理室和第二處理室的邊界,并且能夠向所述第一處理室和所述第二處理室照射紫外線;
第一基板保持裝置,配置于所述第一處理室,將基板保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置;
第二基板保持裝置,配置于所述第二處理室,將基板保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置;
至少一個(gè)反射裝置,配置于所述第一處理室和所述第二處理室中的至少任意一個(gè)處理室,并且將來自所述紫外線照射裝置的紫外線向所述第一處理室和所述第二處理室中的另一個(gè)處理室反射;以及
第二移動(dòng)裝置,使所述至少一個(gè)反射裝置在所述至少一個(gè)反射裝置與所述紫外線照射裝置對(duì)置的位置和所述至少一個(gè)反射裝置不與所述紫外線照射裝置對(duì)置的位置之間進(jìn)行移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其中,具備:
第一氣體供給裝置,向所述第一處理室供給氣體;
第二氣體供給裝置,向所述第二處理室供給氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其中,
所述第一氣體供給裝置和所述第二氣體供給裝置中的至少任意一個(gè)選擇性地供給多種氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,還具備:
第四基板保持裝置,在所述第二基板保持裝置和所述紫外線照射裝置之間將未形成低電介質(zhì)膜的基板保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置,
形成有低電介質(zhì)膜的基板被移交到所述第二基板保持裝置,并保持成與所述紫外線照射裝置對(duì)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述第一基板保持裝置將具有形成有低電介質(zhì)膜的第一主表面和未形成有低電介質(zhì)膜的第二主表面的基板,保持成所述第二主表面朝向所述紫外線照射裝置的姿勢(shì)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社斯庫林集團(tuán),未經(jīng)株式會(huì)社斯庫林集團(tuán)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711406516.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





