[發(fā)明專利]基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711406291.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108254632B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張魯凝;曾永霞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R29/24 | 分類號(hào): | G01R29/24 |
| 代理公司: | 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 楊元焱 |
| 地址: | 200092 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 sio2 運(yùn)動(dòng) 信息 分析 表面 電荷 密度 方法 | ||
1.一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將SiO2微球溶液放置于樣品測(cè)試裝置內(nèi),用光鑷系統(tǒng)捕獲單個(gè)SiO2微球的位置變化;
(2)通過(guò)四象限檢測(cè)器將SiO2微球的位置變化轉(zhuǎn)化為電信號(hào),通過(guò)信號(hào)采集卡采集電信號(hào);
(3)再通過(guò)對(duì)SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息的電信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,得到SiO2微球的阻力系數(shù),進(jìn)而分析其表面電荷密度;
步驟(3)對(duì)SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息的電信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理包括以下步驟:進(jìn)行快速傅里葉變換,求平均值后作圖,得到SiO2微球運(yùn)動(dòng)的功率密度譜,再進(jìn)行洛倫茲擬合,得到拐角頻率、擴(kuò)散系數(shù)和峰的高度,最后經(jīng)計(jì)算得到SiO2微球的阻力系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,步驟(1)中所述光鑷系統(tǒng)的捕獲激光為975nm的遠(yuǎn)紅外激光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,步驟(1)所述的樣品測(cè)試裝置為透明并帶有中間薄層空腔結(jié)構(gòu),中間薄層空腔的厚度為80-120μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,所述的樣品測(cè)試裝置由上、下玻璃片組成,中間用雙面膠粘,并用凡士林封口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,每個(gè)SiO2微球采集10-20組運(yùn)動(dòng)信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,將樣品測(cè)試裝置放置在壓電陶瓷平臺(tái)上,并將輸出正弦信號(hào)的信號(hào)發(fā)生器與壓電陶瓷平臺(tái)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,正弦信號(hào)的頻率為30-40Hz,振幅為650-700nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SiO2微球運(yùn)動(dòng)信息分析其表面電荷密度的方法,其特征在于,所述的SiO2微球溶液是將SiO2微球分散在不同PH值的0.01M NaCl溶液中得到,并采用濃硫酸處理SiO2微球,以除去微球表面的有機(jī)物。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R29-00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各組中的電量的測(cè)量或指示裝置
G01R29-02 .單個(gè)脈沖特性的測(cè)量,如脈沖平度的偏差、上升時(shí)間、持續(xù)時(shí)間
G01R29-04 .形狀因數(shù)的測(cè)量,即瞬時(shí)值的均方根值和算術(shù)平均值的商;峰值因數(shù)的測(cè)量,即最大值和均方根值的商
G01R29-06 .調(diào)制深度的測(cè)量
G01R29-08 .電磁場(chǎng)特性的測(cè)量
G01R29-12 .靜電場(chǎng)的測(cè)量
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