[發(fā)明專利]一種低溫復燒添加SiC制備高污泥含量污泥陶瓷的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711405932.4 | 申請日： | 2017-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN108046758A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張小立;徐堅;楊久豹;李世顯;孫斌;劉芳;范積偉;張留學;劉英;余智化;劉應存 | 申請（專利權）人： | 中原工學院 |
| 主分類號： | C04B33/132 | 分類號： | C04B33/132;C04B33/13;C04B33/32 |
| 代理公司： | 鄭州優(yōu)盾知識產(chǎn)權代理有限公司 41125 | 代理人： | 張真真 |
| 地址： | 451191 河南省鄭州*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 添加 sic 制備 污泥 含量 陶瓷 方法 | ||
1.一種低溫復燒添加SiC制備高污泥含量污泥陶瓷的方法，其特征在于，它的步驟如下：
（1）將自來水廠廢水污泥烘干，將烘干后的自來水廠廢水污泥與瓷料組分混合后過80-200目篩，然后球磨12-24小時，得到混合料；
（2）在混合料中加入SiC粉末，所述SiC粉末的質(zhì)量為混合料質(zhì)量的1-30%，球磨混合均勻，然后加入聚丙烯酰胺混合液壓制成型，聚丙烯酰胺混合液的質(zhì)量為混合料質(zhì)量的0.5-40%，得到壓坯；
（3）將壓坯在燒結爐中加熱到900-1300℃燒結并保溫2-3小時，然后直接進行鹽水淬，得到水淬物料；
（4）將水淬物料在700-1200℃的條件下以埋燒的方式燒結并保溫3-5小時，埋料為二氧化硅和氧化鋁粉末混合物，得到污泥陶瓷。
2.根據(jù)權利要求1所述的低溫復燒添加SiC制備高污泥含量污泥陶瓷的方法，其特征在于：所述自來水廠廢水污泥在恒溫箱中于80-120℃加熱12-36小時，然然后球磨12-24小時。
3.根據(jù)權利要求1所述的低溫復燒添加SiC制備高污泥含量污泥陶瓷的方法，其特征在于：所述烘干后的自來水廠廢水污泥與瓷料組分的質(zhì)量比為（1-3）：1。
4.根據(jù)權利要求1或3所述的低溫復燒添加SiC制備高污泥含量污泥陶瓷的方法，其特征在于：所述瓷料組分為長石、氧化鈣、氧化鋁粉和碳酸鈉，長石、氧化鈣、氧化鋁粉和碳酸鈉的質(zhì)量比為（10-20）：（20-30）：（50-60）：（1-5）。
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