[發(fā)明專(zhuān)利]一種利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711405117.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109979876B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖清;張兆儀;付紅兵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 首都師范大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，包括如下具體制備步驟：

(1)有機(jī)半導(dǎo)體材料溶液的制備：將有機(jī)半導(dǎo)體材料溶于有機(jī)溶劑中，攪拌至完全溶解；

(2)基底的預(yù)處理：將基底浸泡在乙醇中，進(jìn)行超聲步驟，然后浸泡在去離子水中超聲，最后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

(3)環(huán)形陣列模板的制備：先制備具有凸起的環(huán)形陣列結(jié)構(gòu)的陽(yáng)模模板，然后利用陽(yáng)模制備具有環(huán)形陣列化凹槽的陰模模板；

(4)環(huán)形陣列集成器件的制備：取步驟(1)制備的半導(dǎo)體材料溶液置于光滑的基底上，蓋上步驟(3)制備的模板，常溫下靜止，最后揭去模板，即得到在基底上形成陣列化的環(huán)形有機(jī)光電材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，步驟(1)中所述的有機(jī)溶劑為二氯甲烷、三氯甲烷、正己烷、甲苯或DMF。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，步驟(2)中所述基底的材料為玻璃或硅片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，步驟(3)中所述陽(yáng)模模板的材料為硅片，陰模模板的材料為柔性材料，柔性材料可為PDMS、PMMA、PET中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，所述的陽(yáng)模模板是利用電子束在硅片上刻蝕陣列化環(huán)形凸起結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，所述的陰模模板利用陽(yáng)模模板進(jìn)行拓印，來(lái)制備具有環(huán)形陣列化凹槽的柔性模板。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的利用軟光刻技術(shù)制備有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件的方法，其特征在于，所述的有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列結(jié)構(gòu)可通過(guò)改變陰模模板上的陣列化凹槽的尺寸來(lái)調(diào)控。

8.一種有機(jī)半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括由權(quán)利要求1-7任一所述方法制備的有機(jī)半導(dǎo)體材料環(huán)形陣列集成光電器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體器件為有機(jī)半導(dǎo)體激光器、有機(jī)傳感器件、有機(jī)顯示器件中的一種。