[發明專利]釹鐵硼產品表面復合防護方法

在審

• 申請號: 201711404735.0
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108179382A
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 邵敬博;胡元磊
• 申請（專利權）人: 廊坊京磁精密材料有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/16;C23C14/02;H01F41/18
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

本發明提供了釹鐵硼產品表面復合防護方法，步驟包括：1)將經過預處理后的釹鐵硼基體放入反應室，設置鍍膜工藝參數；2)通入氬氣作為濺射氣體，對Al靶材預射10～20min后，對釹鐵硼基體進行鍍Al膜；3)Al膜鍍完后，對SiC燒結靶靶材預射10～20min后，對釹鐵硼基體進行鍍SiC膜。采用在SiC薄膜與釹鐵硼基體之間添加Al作為緩沖層技術提高膜基結合力，在釹鐵硼基體上沉積(SiC/Al)雙層膜更加提高其耐蝕性；采用在SiC薄膜與釹鐵硼基體之間添加Al作為緩沖層技術提高膜基結合力，SiC/Al雙層膜磁性參數中其矯頑力(Hcj)明顯增加。

技術領域

本發明屬于永磁體加工技術領域，特別是一種釹鐵硼產品表面復合防護方法。

背景技術

磁性材料在航空、航天、軍工、電子元器件等戰略性領域具有很廣泛的應用，永磁材料是指通過外界磁場對磁體充磁后撤掉外磁場，磁體依然保持強磁性。永磁材料主要包括永磁鐵氧體、鐵鉻鈷系永磁材料、鋁鎳鈷系永磁材料、稀土永磁材料和復合永磁材料五大類。NdFeB作為第三代稀土永磁材料，由于其原料資源儲備豐富、加工工藝成熟簡單、成本低廉，使其在各個領域應用廣泛。極高的磁能積、矯頑力和能量密度，同時對熱和時間的穩定性好，抗外界磁場的干擾的能力強，這些優異的性能使釹鐵硼磁體在現代化工業電子元器件生產中擁有很大市場，對薄型化、小型化、輕量化各種電機、磁選儀器和儀表等設備成為可能。在外界環境下，釹鐵硼永磁材料易發生氧化和吸氫反應而被腐蝕，一般采用合金化或表面處理方法防腐，合金化指制備釹鐵硼永磁材料時摻入合金元素可以在釹鐵硼的晶界處形成金屬間化合物，提高耐腐蝕性能，但是這樣犧牲磁體本身磁學性能為前提，且添加的稀土金屬價格昂貴。表面處理包括電沉積、化學沉積、物理氣相沉積及有機聚合物樹脂涂層等。釹鐵硼本身疏松、多孔、多相，在電沉積時會出現一系列附帶的問題，造成電沉積成本上升，且“三廢”問題處理起來麻煩。化學沉積中，存在析氫腐蝕和鍍液的老化問題。有機高分子涂層的結合力不強，成本略高，涂料利用率低。

物理氣相沉積是指在倉室真空度較高的真空條件下，把所需鍍材料電離成離子或者氣化成分子或是原子，并通過一定的電壓所形成的磁場的作用下，使得所需沉積材料的原子或分子在基體表面沉積成具有某種特殊功能的薄膜的技術。方法主要有：蒸發鍍、磁控濺射和離子鍍等。比較常用的是金屬Al膜，利用物理氣相沉積法制備的Al膜，膜與基底的結合力、耐腐蝕性能等均較好，但是用于釹鐵硼永磁材料表面防護時，薄膜沉積不夠致密，鹽霧條件下易被腐蝕。

發明內容

本發明的目的是提供一種釹鐵硼產品表面復合防護方法，解決現有技術中釹鐵硼永磁材料表面防護時，薄膜沉積不夠致密，鹽霧條件下易被腐蝕的技術問題

針對所提到的問題，本發明提供了一種釹鐵硼產品表面復合防護方法，包括：

1)將經過預處理后的釹鐵硼基體放入反應室，設置鍍膜工藝參數；

2)通入氬氣作為濺射氣體，對Al靶材預射10～20min后，對釹鐵硼基體進行鍍Al膜；

3)Al膜鍍完后，對SiC燒結靶靶材預射10～20min后，對釹鐵硼基體進行鍍SiC膜。

優選方案是，將反應室抽真空，真空度為6～10Pa。

優選方案是，所述Al靶材直徑為60mm，純度為99.99％。

優選方案是，所述SiC燒結靶直徑為60mm，純度為99.99％。

優選方案是，所述反應室氣壓為1～3Pa。

優選方案是，所述Al膜的厚度為90～300nm。

優選方案是，所述SiC膜的厚度為100～400nm。

優選方案是，所述預處理的步驟包括：

1)選取40mm*10mm*5mm規格的釹鐵硼基體，進行手工磨制、機器拋光；