[發明專利]快閃存儲器的讀取控制方法、存儲器讀取裝置和存儲器系統

有效

• 申請號: 201711404456.4
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108133730B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 吳昭逸;喬斌;王敏;李國陽;張明;王琛鑾;陳正亮;潘永斌
• 申請（專利權）人: 聯蕓科技（杭州）有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

本申請提供一種快閃存儲器的的讀取控制方法，其中，所述快閃存儲器包括多個存儲器單元，所述方法包括：獲取多個檢測電壓值，每個檢測電壓值等于默認電壓和一個偏置電壓之和，所述偏置電壓均等于單位偏移量的整數倍；分別根據所述多個檢測電壓值向所述快閃存儲器的存儲器單元施加多個檢測電壓，以執行多次數據讀取操作；獲得多個差異值，所述差異值所述差異值表示相鄰兩次讀取操作的數據變化量；根據所述多個差異值確定最佳檢測電壓；以及存儲所述最佳檢測電壓，用于之后的快閃存儲器的數據讀取操作。該讀取控制方法能夠獲取最佳檢測電壓并基于最佳檢測電壓進行數據讀取操作。同時提供一種存儲器讀取裝置和存儲器系統。

技術領域

本發明涉及一種快閃存儲器的讀取控制方法、存儲器讀取裝置和存儲器系統。

背景技術

快閃存儲器作為一種非易失性的存儲器，廣泛應用于記憶卡、固態硬盤以及可攜式多媒體播放器(portable multimedia players)等電子設備。

快閃存儲器可分為N0R型快閃存儲器和NAND型快閃存儲器。

相比于N0R型快閃存儲器，NAND型快閃存儲器具有更好的儲存密度和較低的成本，因此其應用更加廣泛。在NAND型快閃存儲器中，包含多個存儲器單元，每個存儲器單元由浮動柵極晶體管所構成，一般而言，每個存儲器單元能夠存儲1個比特位的數據，但是隨著制造工藝的發展，單一的存儲器單元能夠存儲多于1個比特位的數據。當向浮動柵極晶體管的控制柵極提供一默認電壓(default sensing votlage)時，通過浮動柵極晶體管的導通狀態確定各個存儲器單元所儲存的比特位的數據。

然而，對快閃存儲器的各種操作例如寫入、讀取和保存，均可能產生噪音，這些噪音會影響浮動柵極晶體管的浮動柵極內電子的數目，導致浮動柵極晶體管的控制柵極的默認電壓的數值發生改變。由于默認電壓的改變，通過向控制柵極提供默認電壓可能正確地取得快閃存儲器內所儲存的比特位的數據。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供的快閃存儲器的讀取控制方法，通過矯正提供給快閃存儲器的存儲單元的檢測電壓，以降低整個快閃存儲器的數據讀取錯誤機率。

根據本發明的第一方面，提供一種快閃存儲器的讀取控制方法，其中，所述快閃存儲器包括多個存儲器單元，每一個所述存儲器單元具有至少一個默認電壓，所述方法包括：

獲取多個檢測電壓值，每個檢測電壓值等于默認電壓和一個偏置電壓之和，所述偏置電壓等于單位偏移量的整數倍；

分別根據所述多個檢測電壓值向所述快閃存儲器的存儲器單元施加多個檢測電壓，以執行多次數據讀取操作；

獲得多個差異值，所述差異值表示相鄰兩次讀取操作的數據變化量；

根據所述多個差異值確定最佳檢測電壓；

以及

存儲所述最佳檢測電壓，用于之后的快閃存儲器的數據讀取操作。

優選地，基于默認電壓均勻偏置獲得所述多個檢測電壓值。

優選地，所述根據所述多個差異值確定最佳檢測電壓：

將最小差異值對應的檢測電壓值作為所述最佳檢測電壓。

優選地，基于默認電壓非均勻偏置獲得所述多個檢測電壓值。

優選地，所述根據所述多個差異值確定最佳檢測電壓包括：

根據所述多個差異值求取多個平均值；

比較所述多個平均值；以及

在最小平均值對應的檢測電壓值區間內獲得所述最佳檢測電壓。

優選地，在所述最小平均值對應的檢測電壓值區間進行全電壓掃描以獲得所述最佳檢測電壓。