[發明專利]形成自對準帽的方法和設備

有效

• 申請號: 201711404006.5
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN107968069B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: B.博亞諾夫;K.J.辛格
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李嘯;楊美靈

1.一種集成電路結構，包含：

具有上表面的介電層，所述介電層包含硅、氧和碳；以及

所述介電層中的導電結構，所述導電結構包含：

包含銅的第一導電材料，所述第一導電材料具有上表面，其中，所述第一導電材料的上表面的一部分在所述介電層的上表面的一部分的下方；以及

第二導電材料，位于所述第一導電材料的上表面上，所述第二導電材料包含鈷，其中所述第一導電材料和所述第二導電材料在所述第一導電材料和所述第二導電材料相連的位置具有相同的寬度，其中所述第二導電材料具有的上表面具有與所述介電層的上表面的所述部分大致共面的部分，以及其中所述第二導電材料的上表面在所述介電層的上表面的所述部分的下方具有弧形角；以及

阻擋層，部分包圍所述導電結構，所述阻擋層包含鉭。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，其中所述阻擋層還包含氮。

3.如權利要求1所述的集成電路結構，其中第二導電材料還包含硼。

4.如權利要求3所述的集成電路結構，其中第二導電材料還包含磷。

5.如權利要求3所述的集成電路結構，其中第二導電材料還包含鎢。

6.如權利要求3所述的集成電路結構，其中第二導電材料還包含鎢和磷。

7.如權利要求1所述的集成電路結構，其中第二導電材料還包含磷。

8.如權利要求7所述的集成電路結構，其中第二導電材料還包含鎢。

9.一種制造集成電路結構的方法，所述方法包含：

形成包含硅、氧和碳的介電層；

在所述介電層中形成溝槽；

在所述溝槽中形成阻擋層，所述阻擋層包含鉭；

在所述阻擋層內形成第一導電材料，所述第一導電材料包含銅；

使所述第一導電材料凹進所述介電層的上表面的一部分的下方；以及

在凹進的第一導電材料的上表面上形成第二導電材料，所述第二導電材料包含鈷，其中所述第一導電材料和所述第二導電材料在所述第一導電材料和所述第二導電材料相連的位置具有相同的寬度，以及其中所述第二導電材料的上表面在所述介電層的上表面的所述部分的下方具有弧形角。

10.如權利要求9所述的方法，其中使所述第一導電材料凹進在所述介電層的上表面的所述部分的下方包括采用濕法刻蝕工藝。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述阻擋層還包含氮。

12.如權利要求9所述的方法，其中第二導電材料還包含硼。

13.如權利要求12所述的方法，其中第二導電材料還包含磷。

14.如權利要求12所述的方法，其中第二導電材料還包含鎢。

15.如權利要求12所述的方法，其中第二導電材料還包含鎢和磷。

16.如權利要求9所述的方法，其中第二導電材料還包含磷。

17.如權利要求16所述的方法，其中第二導電材料還包含鎢。