[發(fā)明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法和顯示裝置

在審

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• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108172629A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅浩;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/32;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

一種低溫多晶硅晶體管及其制作方法和顯示裝置，制作方法包括如下步驟：在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成有源層；在所述緩沖層和所述有源層上形成具有過孔的絕緣層；在過孔內(nèi)形成源/漏極，所述源/漏極上形成金屬膜層。采用上述制作方法制作的低溫多晶硅薄膜晶體管以及顯示裝置，通過在源/漏極與陽極電極接觸的位置設(shè)置金屬膜層，金屬膜層將源/漏極與陽極電極分隔，在保證陽極電極與源/漏極導(dǎo)通的情況下，阻擋了陽極電極中的金屬銀進入源漏極，減小了陽極電極與源/漏極之間的接觸電阻，避免了顯示屏幕在使用中異常發(fā)熱，色彩顯示不均勻等情況，有效地提高了顯示裝置的顯示品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示裝置制作技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法。

背景技術(shù)

隨著液晶顯示屏幕的發(fā)展，超薄、重量輕、低功耗的屏幕需求不斷被提出。其中，由LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)薄膜晶體管制作的屏幕因其色域廣、對比度高、分辨率高、輕薄、功耗低、響應(yīng)速度快及具有柔韌性等傳統(tǒng)液晶顯示屏難以做到的優(yōu)點，得到了市場和行業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注，其電子遷移率可以達(dá)到200cm²/V-sec以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管，其具有高開口率、高亮度、低功耗，并可以集成部分驅(qū)動電路于玻璃基本上等優(yōu)點,成為當(dāng)前高端顯示屏幕的主流技術(shù)。

傳統(tǒng)的低溫多晶硅薄膜晶體管由于陽極電極層比較薄，陽極電極與源漏極直接接觸，在經(jīng)過高溫烘烤處理之后，例如，在250℃的溫度下，陽極電極層中的金屬銀(Ag)極易擴散至源漏極中，并與源漏極中的金屬鈦(Ti)反應(yīng)，導(dǎo)致陽極電極與源漏極之間的接觸電阻增大，顯示屏幕在使用中出現(xiàn)發(fā)熱異常的情況，屏幕的色彩顯示不均勻，導(dǎo)致顯示屏幕的良品率低下。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種減小源漏電極與陽極電極之間的接觸電阻的低溫多晶硅薄膜晶體管制作方法及采用上述低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法獲得的顯示面板。

一種低溫多晶硅薄膜晶體管，包括：基板；形成于所述基板上的緩沖層；形成于所述緩沖層上的有源層；形成于所述有源層上的具有過孔的絕緣層；形成于所述絕緣層上的柵極層；形成于所述過孔內(nèi)的源/漏極；形成于所述源/漏極上的金屬膜層。

在其中一個實施例中，所述金屬膜層的材質(zhì)包括NiCr、TiW、Cr、MoW和W中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述金屬膜層的材質(zhì)包括NiCr。

一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，包括：在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成有源層；在所述緩沖層和所述有源層上形成具有過孔的絕緣層；在所述絕緣層上形成柵極層；在過孔內(nèi)形成源/漏極，所述源/漏極上形成金屬膜層。

在其中一個實施例中，所述源/漏極包括相互疊置的第一鈦層、鋁層以及第二鈦層。

在其中一個實施例中，采用干法刻蝕在所述源/漏極上形成金屬膜層。

在其中一個實施例中，所述金屬膜層的厚度為10nm～30nm。

在其中一個實施例中，所述金屬膜層的厚度為18nm～22nm。

一種顯示裝置，包括有機電致發(fā)光器件，以及上述各實施例中任一項所述制作方法制作得到的低溫多晶硅薄膜晶體管，所述有機電致發(fā)光器件包括陽極、陰極以及發(fā)光層，所述發(fā)光層位于所述陽極和所述陰極之間，所述有機電致發(fā)光器件的陽極與所述低溫多晶硅薄膜晶體管的金屬膜層連接。

在其中一個實施例中，所述陽極包括相互疊置的第一氧化銦錫層、銀層以及第二氧化銦錫層，所述第一氧化銦錫層與所述源/漏極搭接。