[發(fā)明專利]豎直存儲(chǔ)器裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711403564.X
• 申請(qǐng)日: 2017-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN108231781B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金燦鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H10B43/35
• 分類號(hào): H10B43/35;H10B43/27;H10B43/10
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

一種豎直存儲(chǔ)器裝置包括模具結(jié)構(gòu)和溝道。模具結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底上的柵電極和絕緣圖案，其中柵電極在基本垂直于襯底的上表面的豎直方向上分別布置在多個(gè)水平。絕緣圖案布置在鄰近的柵電極之間。溝道在孔中在豎直方向上延伸穿過模具結(jié)構(gòu)，并且在所述孔中在基本平行于襯底的上表面的水平方向上彼此間隔開。柵電極各自包括基本上水平地彼此間隔開的多個(gè)第一柵電極。所述孔延伸穿過包括在柵電極中的每一個(gè)中的第一柵電極中的一個(gè)。可在所述一個(gè)第一柵電極中的一個(gè)孔中形成多個(gè)溝道。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年12月22日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2016-0176705的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思整體涉及豎直存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地說，本發(fā)明構(gòu)思涉及包括豎直地延伸的溝道的豎直非易失性存儲(chǔ)器裝置。

背景技術(shù)

隨著在VNAND閃速存儲(chǔ)器裝置中豎直地堆疊的臺(tái)階數(shù)量增大，形成溝道孔由于其高的寬高比而變得更加困難。而且，如果溝道孔的寬度增大，則在這種情況下，VNAND閃速存儲(chǔ)器裝置的面積增大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例提供了一種具有改進(jìn)的特征的豎直存儲(chǔ)器裝置。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，提供了一種豎直存儲(chǔ)器裝置。豎直存儲(chǔ)器裝置可包括模具結(jié)構(gòu)和多個(gè)溝道。模具結(jié)構(gòu)可包括布置在襯底上的柵電極和絕緣圖案。柵電極可在基本垂直于襯底的上表面的豎直方向上分別布置在多個(gè)水平，并且絕緣圖案可布置在所述柵電極中的鄰近的柵電極之間。溝道可在孔中在豎直方向上延伸穿過模具結(jié)構(gòu)，并且可在所述孔中在基本平行于襯底的上表面的水平方向上彼此間隔開。柵電極中的每一個(gè)可包括在水平方向上彼此間隔開的多個(gè)第一柵電極。所述孔可延伸穿過在柵電極中的每一個(gè)中包括的所述多個(gè)第一柵電極之一。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，分隔圖案延伸穿過第一柵電極之一的孔，并且將所述孔劃分為多個(gè)子溝道。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，提供了一種豎直存儲(chǔ)器裝置。該豎直存儲(chǔ)器裝置可包括柵電極和溝道。柵電極可相對(duì)于襯底的上表面在基本垂直于襯底的上表面的豎直方向上形成在多個(gè)水平，并且柵電極中的每一個(gè)可包括在基本平行于襯底的上表面的水平方向上布置的多個(gè)第一柵電極。溝道可在襯底上在豎直方向上延伸穿過在柵電極中的每一個(gè)中包括的第一柵電極之一，所述溝道可直接接觸絕緣分隔圖案并且可通過絕緣分隔圖案彼此間隔開。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種豎直存儲(chǔ)器裝置包括：襯底；模具結(jié)構(gòu)，其布置在襯底上，所述模具結(jié)構(gòu)包括在基本垂直于襯底的上表面的豎直方向上分別布置在多個(gè)水平的柵電極和布置在所述柵電極中的鄰近的柵電極之間的絕緣圖案，其中，模具結(jié)構(gòu)具有在豎直方向上形成的多個(gè)溝道孔。柵電極中的每一個(gè)包括設(shè)置在所述多個(gè)水平中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)水平上并且彼此間隔開的多個(gè)第一柵電極，并且其中，所述多個(gè)溝道孔之一延伸穿過所述多個(gè)第一柵電極中的對(duì)應(yīng)的第一柵電極；并且分隔圖案對(duì)應(yīng)地設(shè)置以在所述多個(gè)第一柵電極中的對(duì)應(yīng)的第一柵電極中的溝道孔中形成多個(gè)溝道。

分隔圖案可包括絕緣材料。另外，柵電極中的每一個(gè)還可包括多個(gè)第二柵電極和多個(gè)第三柵電極，其中，各個(gè)柵電極的對(duì)應(yīng)的第一柵電極、第二柵電極和第三柵電極按次序堆疊。

第一柵電極、第二柵電極和第三柵電極可分別包括地選擇線、字線和串選擇線。

第一柵電極、第二柵電極和第三柵電極分別形成在多個(gè)水平。

第一柵電極、第二柵電極和第三柵電極可形成在多個(gè)水平中的單個(gè)水平。

第一柵電極可包括第一柵極導(dǎo)電圖案和覆蓋第一柵極導(dǎo)電圖案的下表面和上表面以及一部分側(cè)壁的第一柵極勢(shì)壘圖案。