[發明專利]一種氮化物發光二極管在審
| 申請號： | 201711403205.4 | 申請日： | 2017-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN108133985A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 黃理承;謝翔麟;黃文賓;林兓兓;蔡吉明 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物發光二極管 超晶格結構 襯底 超晶格結構層 電流擴展層 抗靜電性能 操作電壓 橫向擴展 接觸電阻 注入電流 成核層 發光層 緩沖層 | ||
1.一種氮化物發光二極管，包括一襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層、n型層、發光層、P型層和N型接觸層，其特征在于：所述N型接觸層包括u-GaN/n-GaN超晶格結構層。
2.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述N型接觸層還包括位于u-GaN/n-GaN超晶格結構層上的n+ GaN層。
3.根據權利要求2所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述n+ GaN層中n型雜質濃度不小于u-GaN/n-GaN超晶格結構層中n型雜質濃度。
4.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型層包括低溫p型GaN層和p型AlGaN層。
5.根據權利要求2所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述n+ GaN層的厚度為10?~250?。
6.根據權利要求2所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：n+ GaN層的n型雜質濃度為1×1019~5×1019/cm3。
7.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述u-GaN/ n-GaN超晶格結構層中u-GaN層的厚度為20?~50?。
8.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述u-GaN/ n-GaN超晶格結構層中n-GaN層的厚度為30?~75?。
9.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述u-GaN/ n-GaN超晶格結構層中n型雜質濃度為1×1019~5×1019/cm3。
10.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述u-GaN/ n-GaN超晶格結構層的周期數為1~30。
11.據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型層中P型雜質的濃度為5×1019~3×1020/cm3。
12.根據權利要求1~11任意一項所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：該發光二極管還包括位于N型接觸層上的電流擴展層、P電極、N電極。
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