[發明專利]半導體裝置以及逆變器系統

在審

• 申請號: 201711402655.1
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108336910A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 近藤大介
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H02M7/5387;H01L25/18
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體裝置，包括：

第一功率晶體管和第二功率晶體管，所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管彼此并聯連接；

第一電阻器，所述第一電阻器連接至所述第一功率晶體管的控制端子；以及

第一二極管，所述第一二極管并聯連接至所述第一電阻器，其中在所述第一二極管中，朝向所述第一功率晶體管的所述控制端子的方向為正向。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管的第一端子或第二端子被公共地連接，以及

所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管的控制端子通過所述第一電阻器和所述第一二極管被公共地連接。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第二電阻器，所述第二電阻器連接至所述第二功率晶體管的所述控制端子；以及

第二二極管，所述第二二極管并聯連接至所述第二電阻器，其中在所述第二二極管中，朝向所述第二功率晶體管的所述控制端子的方向為正向。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管為IGBT元件。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述IGBT元件包括柵極-柵極結構，在所述柵極-柵極結構中，以溝道區插入在第一溝槽柵極和第二溝槽柵極之間來設置所述第一溝槽柵極和所述第二溝槽柵極。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述IGBT元件包括發射極-柵極-發射極結構，在所述發射極-柵極-發射極結構中，以溝道區和溝槽柵極插入在第一溝槽發射極和第二溝槽發射極之間來設置所述第一溝槽發射極和所述第二溝槽發射極。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第一安裝區，在所述第一安裝區上安裝半導體芯片，所述半導體芯片包括在所述半導體芯片上形成的所述第一功率晶體管；以及

第二安裝區，在所述第二安裝區上安裝所述第一電阻器和所述第一二極管，所述第一電阻器和所述第一二極管連接至所述第一功率晶體管，并且用于所述控制端子的控制信號被提供至所述第二安裝區。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一電阻器為表面安裝芯片電阻器。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第一安裝區，在所述第一安裝區上安裝半導體芯片，所述半導體芯片包括形成在所述半導體芯片上的所述第一功率晶體管、所述第一電阻器以及所述第一二極管；以及

第二安裝區，所述第二安裝區連接至所述第一電阻器和所述第一二極管并且被提供有用于所述控制端子的控制信號。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第一安裝區，在所述第一安裝區上安裝半導體芯片，所述半導體芯片包括形成在所述半導體芯片上的所述第一功率晶體管和所述第一電阻器；

第二安裝區，所述第二安裝區連接至所述第一電阻器并且被提供有用于所述控制端子的控制信號；以及

第三安裝區，所述第三安裝區連接至所述第一功率晶體管以及所述第一電阻器并且包括安裝在所述第三安裝區上的所述第一二極管。

11.一種逆變器系統，包括：

逆變器電路，所述逆變器電路包括串聯連接的第一功率晶體管電路和第二功率晶體管電路；以及

驅動電路，所述驅動電路被配置為驅動所述第一功率晶體管電路和所述第二功率晶體管電路，其中

所述第一功率晶體管電路和所述第二功率晶體管電路包括：

并聯連接的多個功率晶體管；

分別連接至所述多個功率晶體管的控制端子的多個電阻器；

分別并聯連接至所述多個電阻器的多個二極管，其中

在所述二極管中，朝向所述多個功率晶體管的所述控制端子的每一個的方向為正向。