[發明專利]氮鋁化鈦薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201711402344.5
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108060403B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 江雨仙
• 申請（專利權）人: 衢州量智科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 韓冰;陳小蓮

1.一種氮鋁化鈦薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將Ti靶在含有氬氣、氫氣和氮氣的混合氣體的氣氛中對基材進行反應濺射，以在基材上形成第一擴散層；

(2)將Al靶和Ti靶在含有氬氣、氫氣和氮氣的混合氣體的氣氛中對形成有所述第一擴散層的基材進行反應濺射，以在第一擴散層表面形成第二擴散層；

(3)將Al靶和Ti靶在含有氬氣和氮氣的混合氣體的氣氛中對形成有所述第二擴散層的基材進行反應濺射，以在第二擴散層表面形成第三擴散層，得到形成有包括所述第一擴散層、第二擴散層和第三擴散層的氮鋁化鈦薄膜的基材；

(4)將形成有所述氮鋁化鈦薄膜的基材于氬氣氣氛中保溫；

其中，步驟(1)和/或步驟(2)中氬氣、氫氣和氮氣的流量比各自為2-3:1:4-5；步驟(1)和/或步驟(2)氮氣的流量各自選自50-90SCCM；真空度為(2-3)×10^-1Pa，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V；

其中，步驟(2)中的反應濺射的條件包括：真空度為(2-3)×10^-1Pa；和/或，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V；和/或，Al靶電流50-60A；濺射電壓400-420V；

其中，步驟(3)中氬氣、氮氣的流量比為1:2-3；氮氣的流量為40-60SCCM；所述步驟(3)中的反應濺射的條件包括：真空度為(2-3)×10^-1Pa；和/或，Ti靶電流50-55A，濺射電壓400-420V；和/或，Al靶電流40-45A；濺射電壓400-420V；

其中，步驟(4)中保溫的條件包括：溫度為500-800℃，時間為2-3h；

其中，所述基材為金屬、玻璃和陶瓷中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的氮鋁化鈦薄膜的制備方法，其中，步驟(1)中反應濺射時間為0.5-3h；和/或，步驟(2)中反應濺射時間為0.5-3h；和/或，步驟(3)中反應濺射時間為0.5-3h。

3.根據權利要求2所述的氮鋁化鈦薄膜的制備方法，其中，步驟(1)中反應濺射時間為0.5-1h，步驟(3)中反應濺射時間為1-1.5h。

4.根據權利要求1所述的氮鋁化鈦薄膜的制備方法，其中，在步驟(1)中反應濺射前，還包括對所述基材用丙酮和/或無水乙醇超聲清洗5-15min的步驟。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的氮鋁化鈦薄膜的制備方法制備得到的氮鋁化鈦薄膜。