[發(fā)明專利]電外科方法和系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711401138.2 | 申請日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN107961070B | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J.沃洛茲科;J.加斯普里德斯;D.原;T.P.瑞安 | 申請(專利權(quán))人: | 亞瑟羅凱爾公司 |
| 主分類號: | A61B18/04 | 分類號: | A61B18/04;A61B18/12;A61B18/14 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳嵐 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 外科 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種用于電外科棒的電外科控制器,其包括:
泵控制界面,可操作來控制泵以便控制接近所述電外科棒的有源電極的流體流的流速;以及
處理器,被配置成控制所述泵控制界面以創(chuàng)建接近所述有源電極的等離子體,所述等離子體基于所述電外科控制器遞送到所述有源電極的能量;以及
其中所述處理器被配置成基于包括所述有源電極的電極電路的阻抗來控制所述泵控制界面,以導(dǎo)致等離子體顫動且導(dǎo)致等離子體塌縮時(shí)間段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述處理器被配置成控制所述泵控制界面以至少兩種模式操作,其中在第一模式中,所述處理器被配置成控制所述泵控制界面以維持接近所述有源電極的等離子體,以及在第二模式中,所述處理器被配置成控制所述泵控制界面以增加流體流的流速以導(dǎo)致等離子體顫動且導(dǎo)致等離子體塌縮時(shí)間段。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電外科控制器,其中所述電外科控制器被配置成如果達(dá)到選定的能量閾值則暫時(shí)停止向所述有源電極遞送能量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述電極電路包括以下中的至少一個(gè):
創(chuàng)建且與所述有源電極的維持操作關(guān)系的等離子體;
圍繞所述有源電極的導(dǎo)電流體;
所述有源電極;
返回電極; 以及
電極-流體界面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述阻抗基于以下中的至少一個(gè):
所述等離子體的厚度;
所述等離子體的體積;
所述有源電極的表面積;以及
離開等離子體位置的流體和/或氣體的體積流量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述處理器被配置成響應(yīng)于所述有源電極處的測量阻抗的降低,控制所述泵控制界面以降低所述電外科棒中的流體流的流速。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述處理器被配置成響應(yīng)于所述有源電極處的測量阻抗的增加,控制所述泵控制界面以增加所述電外科棒中的流體流的流速。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述電外科棒包括抽吸孔,并且其中所述泵控制界面可操作來控制泵以控制流入所述抽吸孔的流體流的抽吸流速。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科控制器,其中所述處理器被配置成測量遞送到所述有源電極的能量,并且控制所述泵控制界面以控制流體的流速以便將所遞送的能量保持在預(yù)定水平。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電外科控制器,其中,所述處理器被配置成響應(yīng)于電外科控制器接收到命令而控制所述電外科控制器在第一能量范圍內(nèi)向所述有源電極遞送能量,以及在第二能量范圍內(nèi)向所述有源電極遞送能量,其中第二能量范圍高于并且不同于第一能量范圍。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電外科控制器,其中所述處理器被配置成控制所述泵控制界面口以增加流速以導(dǎo)致等離子體顫動且導(dǎo)致等離子體塌縮時(shí)間段。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電外科控制器,其中所述處理器被配置成控制所述泵控制界面使得在所述第二能量范圍內(nèi)的能量遞送時(shí)間段期間具有最小流速。
13.根據(jù)權(quán)利要求10、11或12中任一項(xiàng)所述的電外科控制器,其中,所述處理器被配置成控制所述泵控制界面以減小所述電外科棒中的流體流的流速,以在第一能量范圍內(nèi)遞送能量的時(shí)間段期間響應(yīng)于所述有源電極的處的測量阻抗減少穩(wěn)定在所述有源電極附近形成的等離子體。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電外科控制器,其中,預(yù)定能量水平包括在所述第一能量范圍和所述第二能量范圍中的至少一個(gè)內(nèi)的能量設(shè)定點(diǎn)。
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