[發明專利]半導體封裝重布線層結構

有效

• 申請號: 201711399770.8
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN109411432B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 林玠模;郭書瑋;鄭惟元;楊鎮在
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院;創智智權管理顧問股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體封裝的重布線層結構，包括：

介電層，具有厚度，包括第一表面及與該第一表面相對的第二表面；

上導線，位于該介電層的該第一表面上，具有第一寬度；

下導線，位于該介電層的該第二表面上，具有第二寬度，其中該上導線與該下導線由該介電層所阻隔；

多個通孔，貫穿該介電層且連結于該上導線與該下導線，每個該些通孔在該上導線有截面，具有第三寬度，其中該第三寬度與該介電層的該厚度的比值小于或等于1，且各個該些通孔的截面間的間距與該第三寬度的比值至少為0.5以上；

其中該些通孔的該些截面的該第三寬度不大于該上導線的該第一寬度；以及

其中各該通孔在該上導線的該截面的中心與在該下導線的另一截面的中心不相互偏離。

2.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面的面積為小于或等于0.25π×(該第一寬度)²，其中，π為數學中的圓周率。

3.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面為圓形。

4.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中各該些通孔的該些截面的面積可為相等或不相等。

5.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面間的排列為依該些通孔的該些截面的面積大小規則排列或亂序排列。

6.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔由導電材質所填充，該導電材質包括鈦、銅、鎳、金、或以上金屬的任意組合。

7.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該上導線的該些通孔的該些截面總和面積介于0.25π×(該第一寬度)²～2.0π×(該第一寬度)²，其中，π為數學中的圓周率。

8.如權利要求1所述的半導體封裝的重布線層結構，其中由每個該些通孔相連的上導線上的該截面與下導線上的另一截面的面積也可為相等或不相等。

9.一種半導體封裝的重布線層結構，包括：

介電層，具有厚度，包括第一表面及與該第一表面相對的第二表面；

上導線，位于該介電層的該第一表面上，具有第一寬度；

下導線，位于該介電層的該第二表面上，具有第二寬度，其中該上導線與該下導線由該介電層所阻隔；

多個通孔，貫穿該介電層且連結于該上導線與該下導線，每個該些通孔在該上導線有截面，具有第四寬度與第五寬度，其中該第四寬度與該第五寬度互相垂直，其中該些第四寬度或第五寬度與該介電層的該厚度的比值為小于或等于1，各個該些通孔的截面間的間距與該些截面的該第四寬度或該第五寬度的比值至少為0.5以上，其中該些截面的該些第四寬度與該些第五寬度的比值或該些截面的第五寬度與該些第四寬度的比值至少為1.2以上；以及

其中該些通孔的該些截面形狀的該些第四寬度或該些第五寬度的最大值為該上導線的該第一寬度。

10.如權利要求9所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面的面積為小于或等于0.25π×(該第一寬度)²，其中，π為數學中的圓周率。

11.如權利要求9所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面形狀為橢圓形、多邊形或及其組合。

12.如權利要求9所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面形狀的面積可為相等或不相等。

13.如權利要求9所述的半導體封裝的重布線層結構，其中該些通孔的該些截面形狀間的排列為依該些通孔的該些截面的面積大小規則排列或亂序排列。