[發明專利]一種集成SOA和AWG的光組件及其制備方法

有效

• 申請號: 201711399451.7
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108121034B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 岳陽陽;徐紅春;劉成剛;宋小平
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: G02B6/12
• 分類號: G02B6/12;G02B6/124
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 劉黎明

1.一種集成SOA和AWG光組件的制備方法，其特征在于，包括：

將硅基板分為放大區和復用區，在所述放大區和復用區之間設置隔離區；

在隔離區域生長阻止AWG和SOA材料滲透的隔離層；

在所述放大區沉積得到SOA部分結構；

在所述復用區沉積法AWG下包層(10)和芯片層(11)；

刻蝕所述SOA外延片波導層(15)、有源層(16)以及AWG的芯片層(11)；

沉積AWG上包層(12)；

其中，所述隔離層從硅基板向上依次包括：下包層、纖芯層(21)、上包層；其中，上包層和下包層的折射率小于纖芯層的折射率；

其中，

當AWG為合波元件時，芯片層(11)、纖芯層(21)和有源層(16)的面積依次增大；當AWG為分波元件時，芯片層(11)、纖芯層(21)和有源層(16)的面積依次減小；當AWG同時具備合波分波功能時，芯片層(11)、纖芯層(21)和有源層(16)的面積大小相同。

2.根據權利要求1所述的一種集成SOA和AWG光組件的制備方法，其特征在于，還包括：制備SOA的P面電極、N面電極，在SOA芯片光信號輸入端與光信號輸出端制備抗反射膜，并進行解理。

3.根據權利要求1所述的一種集成SOA和AWG光組件的制備方法，其特征在于，在芯片層(11)做掩膜，采用電感耦合等離子刻蝕法同時刻蝕所述芯片層(11)，上波導層(15)和有源層(16)。

4.根據權利要求1所述的一種集成SOA和AWG光組件的制備方法，其特征在于，所述SOA外延片從所述硅基板向上依次包括：

襯底層，成分包括InPut；

緩沖層，成分包括N-InP；

下波導層，成分包括N-InGaAsP；

有源層，成分包括InGaAsP

上波導層，成分包括P-InGaAsP；

緩沖層，成分包括：P-InP；

接觸層，成分包括InGaAs。

5.一種集成SOA和AWG的光組件，其特征在于，包括：

硅基板，具備放大區和復用區，以及位于所述放大區和復用區之間的隔離區；在隔離區域生長有阻止AWG和SOA材料滲透的隔離層；

SOA及AWG，分別生長于所述硅基板的放大區和復用區上；

其中，所述隔離層從硅基板向上依次包括：下層、纖芯層、上層；其中，上層和下層的折射率小于纖芯層的折射率；

其中，在AWG中設置芯片層，在SOA中設置有源層/有源層；

其中，

當AWG為合波元件時，芯片層(11)、纖芯層(21)和有源層(16)的面積依次增大；當AWG為分波元件時，芯片層(11)、纖芯層(21)和有源層(16)的面積依次減小；當AWG同時具備合波分波功能時，芯片層(11)、纖芯層(21)和有源層(16)的面積大小相同。

6.根據權利要求5所述的一種集成SOA和AWG的光組件，其特征在于，包括：在AWG前端集成透鏡(2)。

7.根據權利要求5所述的一種集成SOA和AWG的光組件，其特征在于，所述SOA從所述硅基板向上依次包括：

襯底層，成分包括InPut；

緩沖層，成分包括N-InP；

下波導層，成分包括N-InGaAsP；

有源層，成分包括InGaAsP；

上波導層，成分包括P-InGaAsP；

緩沖層，成分包括：P-InP；

接觸層，成分包括InGaAs。