[發明專利]一種超薄型單疇熔融織構高溫超導塊材的制備方法

有效

• 申請號: 201711399340.6
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN109949998B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 焦玉磊;鄭明輝
• 申請（專利權）人: 有研工程技術研究院有限公司
• 主分類號: H01B12/00
• 分類號: H01B12/00;H01B13/00;C30B29/22;C04B35/45
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉茵

1.一種超薄型單疇熔融織構高溫超導塊材的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

I.將用固相法制備的RE123與RE211粉體按照預設的比例稱重，然后混合并研磨，單軸模壓成型，制成超導塊材前驅物坯料，該坯料的厚度為10～13mm；

II.將替代粉體置入模具中，模壓成型，制備出厚度為4～5mm的替代層；該替代粉體為原始組成成分與前驅物相同，但在熔融織構制備單疇超導塊材的生長工藝后未能形成單晶結構的廢棄材料或由于不適合制備熔融織構單疇超導塊材的棄用的前驅物粉體；

III.將隔離層的粉體置入模具中，然后模壓成型，制備出厚度為1.0～2.0mm的隔離層；隔離層的組成為與步驟I中配比相同的RE123與RE211混合粉體中混入10-20wt％的Yb₂O₃；或者，當母體成分的稀土元素為輕稀土時，隔離層使用組成為與步驟I中配比相同的Y123與Y211混合粉體；

IV.在氧化鋁墊片上依次放置MgO單晶片、隔離層、替代層和超導塊材前驅物坯料，隨后放入高溫晶體生長爐，采用結合頂部籽晶熔融織構生長工藝制備單疇REBaCuO超導塊材；

V.步驟IV制備的塊材去除MgO單晶片、隔離層和替代層后，獲得厚度為5～10mm的超薄型單疇熔融織構高溫超導塊材。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述超導塊材前驅物坯料、替代層、隔離層、MgO單晶片的直徑相同，均為20～70mm。

3.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述輕稀土為Nd、Sm、Eu或Gd。

4.一種超薄型單疇熔融織構高溫超導塊材，其特征在于，其是采用權利要求1-3中任一項所述的方法制備的。