[發(fā)明專利]中空微球的熱噴涂沉積

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711399206.6
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108220865A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·J·沃克
• 申請（專利權(quán)）人: 通用汽車環(huán)球科技運(yùn)作有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C4/129
• 分類號: C23C4/129;C23C4/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 韋欣華;楊思捷

1.一種形成絕緣涂層的方法，包含：

從高速氧燃料(HVOF)裝置朝向基底噴射包含多個中空微球的流，其中，所述多個中空微球中的每一個均包含第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層包含選自由鎳、鐵、其組合及其合金組成的組中的第一金屬，所述第二金屬層包含選自由銅、鋅、錫、鎳、其組合及其合金組成的組中的第二金屬，其中，所述流在所述噴射期間的最高溫度至少低于所述第一金屬的熔點(diǎn)約50℃，但大于或等于所述第二層的熔點(diǎn)；以及

在標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力條件下在所述基底上形成具有小于或等于約200mW/m·K的熱導(dǎo)率(K)的所述絕緣涂層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述熱噴涂之后，所述絕緣涂層包含具有完整空隙區(qū)域的多個中空微結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣涂層具有大于或等于約80體積％的凈孔隙率，并且所述絕緣涂層具有小于或等于約200微米(μm)的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述最高溫度為大于或等于約900℃至小于或等于約1400℃。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底包含選自由鐵、銅、鋅、錫、鎳、鋁、其組合及其合金組成的組中的至少一種金屬。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬層包含鎳并且所述第二金屬層包含銅。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱導(dǎo)率(K)小于或等于約100mW/m·K。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣涂層具有小于或等于約100kJ/m³·K的熱容量(c_v)。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含在所述噴射之后燒結(jié)所述絕緣涂層。

10.一種形成絕緣涂層的方法，包含：

從高速氧燃料(HVOF)裝置向基底噴射包含多個中空微球的流以形成沉積中空微結(jié)構(gòu)層，所述中空微球包含鎳，其中，所述流在所述噴射期間具有大于或等于約900℃至小于或等于約1400℃的最高溫度，其中，所述多個中空微球中的每一個均包含第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層包含選自由鎳、鐵、其組合及其合金組成的組中的第一金屬，所述第二金屬層包含選自由銅、鋅、錫、鎳、其組合及其合金組成的組中的第二金屬；以及

燒結(jié)所述沉積中空微結(jié)構(gòu)層，以在標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力條件下在所述基底上形成具有小于或等于約200mW/m·K的熱導(dǎo)率(K)和小于或等于約100kJ/m³·K的熱容量(c_v)的所述絕緣涂層。