[發明專利]一種ITO薄膜LED芯片及其制造方法在審
| 申請號： | 201711399169.9 | 申請日： | 2017-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN108269895A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 白繼鋒;張銀橋;潘彬 | 申請（專利權）人： | 南昌凱迅光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330100 江西省南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 窗口層 外延層 粗化 限制層 襯底 制造 多量子阱有源層 電流注入層 金屬電極層 電極連接 外延生長 粗化層 分區域 緩沖層 制作 摻雜 | ||
1.一種ITO薄膜LED芯片，其特征在于：包括在GaAs襯底(1)一側依次從下往上設置第一外延層(11)、MQW多量子阱有源層(12)和第二外延層(13)，所述第一外延層(11)依次從下往上設置外延生長緩沖層(111)、n-AIGaInP限制層(112)；所述第二外延層(13)依次從下往上設置p-AIGaInP限制層(131)和p-GaP窗口層(132)；所述p-GaP窗口層(132)上制作ITO薄膜層(14)，所述ITO薄膜層(14)上制作金屬電極層(15)，所述GaAs襯底(1)另一側設置n電極層(21)；所述p-GaP窗口層(132)的摻雜濃度不低于1×1018cm-3。
2.如權利要求1所述的一種ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP窗口層(132)既是電流注入層又是粗化層。
3.如權利要求2所述的一種ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP窗口層(132)摻雜層厚度為70nm±5nm。
4.如權利要求1所述的一種ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜層(14)厚度為2800±280nm。
5.如權利要求1所述的一種ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜層(14)為銦錫氧化物。
6.一種ITO薄膜LED芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
第一步：制作LED外延片，在GaAs襯底(1)依次從下往上設置第一外延層(11)、MQW多量子阱有源層(12)和第二外延層(13)，所述第一外延層(11)依次從下往上設置外延生長緩沖層(111)、n-AIGaInP限制層(112)；所述第二外延層(13)依次從下往上設置p-AIGaInP限制層(131)和p-GaP窗口層(132)；
第二步：對p-GaP窗口層(132)進行粗糙化處理：先利用PECVD在p-GaP窗口層(132)上制作一層介質膜，通過光刻圖形后，采用介質膜腐蝕液腐蝕出介質膜圖形，利用介質膜圖形做掩膜采用特殊粗化溶液對局部的粗化層進行粗糙化處理；
第三步：在粗糙化的p-GaP窗口層(132)上制作ITO薄膜層(14)；
第四步：在ITO薄膜層(14)制作金屬電極層(15)，采用負膠套刻和蒸鍍方式制作圖案化的金屬電極層(15)，電極下方的p-GaP窗口層(132)是經過粗糙化的區域；
第五步：在GaAs襯底(1)另一側面制作n電極層(21)。
7.如權利要求6所述的一種ITO薄膜LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第二步中的特殊粗化溶液主要成分為碘酸、碘、碘化鉀、草酸、冰乙酸、硫酸、硝酸、檸檬酸中的其中3種溶液混合而成。
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