[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201711399086.X
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN109941957B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 黃新元;張玨;姚笛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成鈍化層，所述鈍化層中形成有互連結構；

對所述鈍化層進行局部刻蝕至露出所述互連結構，以在所述鈍化層中形成凹槽，刻蝕后在所述凹槽底部的所述半導體襯底上保留有部分所述鈍化層；

采用灰化工藝去除部分所述局部刻蝕后在所述凹槽底部和側壁產生的聚合物，其中，在所述灰化工藝中，向所述灰化工藝的反應室添加氫氟酸溶液和氧化性溶液的混合液，所述氧化性溶液提高所述聚合物的氧化效果，所述氫氟酸溶液去除由于氧化性溶液的氧化作用而在所述互連結構表面形成的自然氧化層，從而控制所述互連結構在灰化工藝中出現的損失；

繼續刻蝕所述凹槽底部的所述半導體襯底上剩余的所述鈍化層，停止于所述半導體襯底表面，以完全去除所述凹槽底部剩余的所述鈍化層；

去除所述局部刻蝕以及繼續刻蝕所產生的聚合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化性溶液包括雙氧水溶液。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底和所述鈍化層之間形成有蝕刻停止層，所述繼續刻蝕工藝停止于所述蝕刻停止層表面。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述蝕刻停止層包括正硅酸乙酯。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述局部刻蝕以及繼續刻蝕所產生的聚合物的方法包括濕法清洗工藝。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層包括自下而上的第一鈍化層和第二鈍化層，其中所述互連結構位于所述第一鈍化層和所述第二鈍化層之間，并且所述第二鈍化層覆蓋所述互連結構。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述互連結構和所述第二鈍化層之間還形成有硬掩膜層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述鈍化層進行局部刻蝕的方法包括：在所述鈍化層表面形成圖案化的光刻膠層，其中所述光刻膠層覆蓋部分所述鈍化層，并且所述光刻膠層未覆蓋所述互連結構；以所述光刻膠層為掩膜，對所述鈍化層進行局部刻蝕至露出所述互連結構。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述局部刻蝕或所述繼續刻蝕的工藝包括干法刻蝕工藝。