[發明專利]一種白光LED封裝結構以及白光源系統

有效

• 申請號: 201711397732.9
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108183099B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 張平;時軍朋;黃森鵬;林振端;陳順意;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種白光LED封裝結構，包括：基板，LED芯片以及波長轉換材料層；其特征在于：至少兩種波長的LED芯片，其中第一種LED芯片的峰值波長介于385~420nm之間，第二種LED芯片的峰值波長長于第一種LED芯片的峰值波長，所述波長轉換材料層的發射光譜峰值波長介于440~700nm，所述波長轉換材料層吸收由所述LED芯片射出的光而發出白光源，所述波長轉換材料層包含發射藍光的波長轉換材料，所述發射藍光的波長轉換材料被第一種LED芯片激發；設所述白光源的發光光譜為P(λ)，與所述白光源具有相同色溫的黑體輻射的發光光譜為B(λ)，表征白光LED的光譜與黑體輻射光譜的相似度，在380~780nm內，白光源滿足以下關系式：0.9，0.75，其中=。

2.一種白光LED封裝結構，包括：基板，LED芯片以及波長轉換材料層；其特征在于：至少兩種波長的LED芯片，其中第一種LED芯片的峰值波長介于385~420nm之間，第二種LED芯片的峰值波長長于第一種LED芯片的峰值波長，所述波長轉換材料層的發射光譜峰值波長介于440~700nm，所述波長轉換材料層吸收由所述LED芯片射出的光而發出白光源，所述波長轉換材料層包含發射藍光的波長轉換材料，所述發射藍光的波長轉換材料被第一種LED芯片激發；設所述白光源的發光光譜為P(λ)，與所述白光源具有相同色溫的黑體輻射的發光光譜為B(λ)，表征白光LED的光譜與黑體輻射光譜的相似度，在510~610nm內，白光源滿足以下關系式：0.99，0.9，其中=。

3.一種白光LED封裝結構，包括：基板，LED芯片以及波長轉換材料層；其特征在于：至少兩種波長的LED芯片，其中第一種LED芯片的峰值波長介于385~420nm之間，第二種LED芯片的峰值波長長于第一種LED芯片的峰值波長，所述波長轉換材料層的發射光譜峰值波長介于440~700nm，所述波長轉換材料層吸收由所述LED芯片射出的光而發出白光源，所述波長轉換材料層包含發射藍光的波長轉換材料，所述發射藍光的波長轉換材料被第一種LED芯片激發；設所述白光源的發光光譜為P(λ)，與所述白光源具有相同色溫的黑體輻射的發光光譜為B(λ)，P(λ_max)為在380~780nm內的光強最大值，B(λ_max)為在380~780nm內的黑體輻射的光強最大值，D₁(λ)表征白光LED的光譜與黑體輻射光譜的差異值，在510~610nm內，白光源滿足以下關系式：D₁(λ)=P(λ)/ P(λ_max)-B(λ)/B(λ_max)，-0.15 D₁(λ)0.15。

4.一種白光LED封裝結構，包括：基板，LED芯片以及波長轉換材料層；其特征在于：至少兩種波長的LED芯片，其中第一種LED芯片的峰值波長介于385~420nm之間，第二種LED芯片的峰值波長長于第一種LED芯片的峰值波長，所述波長轉換材料層的發射光譜峰值波長介于440~700nm，所述波長轉換材料層吸收由所述LED芯片射出的光而發出白光源，所述波長轉換材料層包含發射藍光的波長轉換材料，所述發射藍光的波長轉換材料被第一種LED芯片激發；設所述白光源的發光光譜為P(λ)，與所述白光源具有相同色溫的黑體輻射的發光光譜為B(λ)，D₂(λ)表征白光LED的光譜與黑體輻射光譜的差異值，在400~500nm內，白光源滿足以下關系式：D₂(λ)= P(λ)/P(500nm) -B(λ) /B(500nm)，-0.25D₂(λ)0.25。

5.根據權利要求1至4的任意一項所述的一種白光LED封裝結構，其特征在于：所述波長轉換材料層還包括另一種波長轉換材料，被第二種LED芯片激發，所述另一種波長轉換材料的發射光譜波長介于500~700nm。

6.根據權利要求1至4的任意一項所述的一種白光LED封裝結構，其特征在于：所述第二種LED芯片的峰值波長介于440~460nm之間。