[發明專利]一種太陽能異質結電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201711397697.0
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108321239A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 董剛強
• 申請（專利權）人: 君泰創新（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 陳丹;蘇蕾

1.一種太陽能異質結電池，所述太陽能異質結電池從上至下依次包括第一電極、第一摻水ITO透明導電層、第一非晶硅摻雜層、第一本征非晶硅鈍化層、單晶硅片、第二本征非晶硅鈍化層、第二非晶硅摻雜層、第二摻水ITO透明導電層和第二電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能異質結電池，其中，所述第一摻水ITO透明導電層和所述第二摻水ITO透明導電層的厚度均為50-110nm。

3.根據權利要求1或2所述的太陽能異質結電池，還包括不摻水ITO透明導電層，所述不摻水ITO透明導電層包括第一不摻水ITO層和第二不摻水ITO層；

所述第一不摻水ITO層設置在所述第一非晶硅層摻雜層與所述第一摻水ITO透明導電層之間；

所述第二不摻水ITO層設置在所述第二非晶硅摻雜層與所述第二摻水ITO透明導電層之間。

4.根據權利要求3所述的太陽能異質結電池，其中，所述不摻水ITO透明導電層還包括第三不摻水ITO層和第四ITO層；

所述第三不摻水ITO層設置在所述第一摻水ITO透明導電層與所述第一電極之間；

所述第四ITO層設置在所述第二摻水ITO透明導電層與所述第二電極之間。

5.根據權利要求3或4所述的太陽能異質結電池，其中，

所述第一不摻水ITO層和所述第二不摻水ITO層的厚度均為5-10nm；

所述第一不摻水ITO層的方塊電阻為20-80Ω/□，所述第二不摻水ITO層的方塊電阻為130-200Ω/□；或者，所述第一不摻水ITO層的方塊電阻為130-200Ω/□，所述第二不摻水ITO層的方塊電阻為20-80Ω/□；

任選地，所述第一不摻水ITO層的方塊電阻為20-80Ω/□，所述第二不摻水ITO層的方塊電阻為130-200Ω/□。

6.根據權利要求4所述的太陽能異質結電池，其中，所述第三不摻水ITO層和所述第四ITO層的厚度均為5-10nm，方塊電阻均為20-80Ω/□。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的太陽能異質結電池，其中，所述單晶硅片為n型單晶硅片，厚度為50-300μm。

8.根據權利要求1-6中任一項所述的太陽能異質結電池，其中，所述第一本征非晶硅鈍化層和所述第二本征非晶硅鈍化層的厚度均為1-20nm。

9.根據權利要求1-6中任一項所述的太陽能異質結電池，其中，

所述第一非晶硅摻雜層和所述第二非晶硅摻雜層的厚度均為3-20nm；

所述第一非晶硅摻雜層為P型非晶硅摻雜層，所述第二非晶硅摻雜層為N型非晶硅摻雜層；或者，所述第一非晶硅摻雜層為N型非晶硅摻雜層，所述第二非晶硅摻雜層為P型非晶硅摻雜層；

任選地，所述第一非晶硅摻雜層為N型非晶硅摻雜層，所述第二非晶硅摻雜層為P型非晶硅摻雜層。

10.一種太陽能異質結電池的制備方法，所述方法包括：

在單晶硅片的第一表面上依次沉積第一本征非晶硅鈍化層、第一非晶硅摻雜層，在所述單晶硅片的第二表面上依次沉積第二本征非晶硅鈍化層、第二非晶硅摻雜層；

在所述第一非晶硅摻雜層上沉積第一摻水ITO透明導電層；

在所述第二非晶硅摻雜層上沉積第二摻水ITO透明導電層；

分別在所述第一所述摻水ITO透明導電層和所述第二摻水ITO透明導電層上絲網印刷第一電極和第二電極。