[發(fā)明專利]雙極晶體管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711397390.0
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108109916B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 南京溧水高新創(chuàng)業(yè)投資管理有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/732
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

1.一種雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供N型襯底，在所述N型襯底上形成N型外延層，在N型外延層形成氧化層及貫穿所述氧化層且對應所述N型外延層的第一開口，利用所述第一開口進行P型注入，從而在所述N型外延層表面形成有源區(qū)；

在所述氧化層及所述有源區(qū)上形成第一光刻膠，所述第一光刻膠包括兩個第二開口，利用所述兩個第二開口對所述有源區(qū)進行刻蝕及注入，從而形成貫穿所述有源區(qū)并延伸至所述N型外延層中的兩個P型接觸區(qū)；

去除所述第一光刻膠，在所述氧化層、所述有源區(qū)及P型接觸區(qū)上形成氧化硅,對所述氧化硅進行刻蝕，從而形成貫穿所述氧化硅的兩個第三開口，所述兩個第三開口位于所述兩個P型接觸區(qū)之間；

在所述第三開口中形成氮化硅；

在所述氧化硅及所述氮化硅上形成第二光刻膠，所述第二光刻膠具有對應所述兩個氮化硅之間的第四開口；

去除所述氮化硅之間的氧化硅，所述氮化硅圍成第五開口；

在所述第五開口處形成具有N型摻雜的多晶硅；

對所述多晶硅進行退火，使得所述多晶硅中的N型雜質擴散至所述有源區(qū)，從而在所述有源區(qū)表面形成基極-發(fā)射極結；

在所述氧化硅中形成對應所述P型接觸區(qū)的通孔，在所述氧化硅側墻及所述多晶硅上形成金屬層，所述金屬層包括通過所述通孔連接所述P型接觸區(qū)的基極及連接所述多晶硅的發(fā)射極，以及在所述N型襯底遠離所述N型外延層一側形成集電極。

2.權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：在所述第三開口中形成氮化硅的步驟包括：在所述氧化硅及所述第三開口中形成氮化硅層，對所述氮化硅層進行回刻去除所述氧化硅上的氮化硅，從而形成位于所述第三開口中的氮化硅。

3.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：在所述第五開口處形成具有N型摻雜的多晶硅的步驟包括：在所述氧化層上、所述氮化硅上、所述第五開口處的有源區(qū)上形成多晶硅層，并對所述多晶硅層進行N型摻雜；及

對所述多晶硅層進行回刻去除所述氧化層上的部分多晶硅，而所述第五開口處的所述多晶硅被保留。

4.如權利要求3所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述N型摻雜通過注入N型雜質的方式形成。

5.如權利要求3所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述N型摻雜采用原位摻雜的方式。

6.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：去除所述氮化硅之間的氧化硅的步驟包括：利用所述第四開口對下方的氧化硅進行濕法腐蝕，從而去除所述氮化硅之間的氧化硅。

7.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述基極及所述發(fā)射極在同一道刻蝕步驟中形成。

8.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：對所述多晶硅的退火為高溫快速熱退火。