[發明專利]NAND FLASH的CG分組方法和CG分組裝置有效
| 申請號： | 201711397343.6 | 申請日： | 2017-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN108053857B | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 蘇志強;劉會娟;胡旭;程瑩;李建新 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nand flash cg 分組 方法 裝置 | ||
1.一種NAND FLASH的CG分組方法，其特征在于，包括以下步驟：
確定所述NAND FLASH中待操作的存儲塊和選中字線；
將所述選中字線和所述存儲塊中與所述選中字線鄰近的上下各第一預設數量根字線分配到第一數量個第一字線組中，每個所述第一字線組中字線的根數相同；
配置所述第一數量個第一字線組中每根字線對應一CG線，以及配置所述存儲塊中除所述第一數量個第一字線組之外的其它字線對應同一CG線，各所述CG線可輸出對所述NANDFLASH進行操作所需的所有可選高壓。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一數量和所述第一字線組中字線的根數根據以下公式確定：
(n-1)*m=2*r
其中，n為所述第一數量，m為所述第一字線組中字線的根數，r為所述第一預設數量。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，還包括：
調整所述第一數量和所述第一字線組中字線的根數，以使所述存儲塊所需的電壓轉換電路個數最少。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置所述第一數量個第一字線組中每根字線對應一CG線，以及配置所述存儲塊中除所述第一數量個第一字線組之外的其它字線對應同一CG線，各所述CG線可輸出對所述NAND FLASH進行操作所需的所有可選高壓，包括以下步驟：
將各所述CG線可輸出對所述NAND FLASH進行操作所需的所有可選高壓，一一配置至各所述CG線。
5.一種NAND FLASH的CG分組裝置，其特征在于，包括：
確定模塊，用于確定所述NAND FLASH中待操作的存儲塊和選中字線；
分配模塊，用于將所述選中字線和所述存儲塊中與所述選中字線鄰近的上下各第一預設數量根字線分配到第一數量個第一字線組中，每個所述第一字線組中字線的根數相同；
配置模塊，用于配置所述第一數量個第一字線組中每根字線對應一CG線，以及配置所述存儲塊中除所述第一數量個第一字線組之外的其它字線對應同一CG線，各所述CG線可輸出對所述NAND FLASH進行操作所需的所有可選高壓。
6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一數量和所述第一字線組中字線的根數根據以下公式確定：
(n-1)*m=2*r
其中，n為所述第一數量，m為所述第一字線組中字線的根數，r為所述第一預設數量。
7.根據權利要求5或6所述的裝置，其特征在于，還包括：
調整模塊，用于調整所述第一數量和所述第一字線組中字線的根數，以使所述存儲塊所需的電壓轉換電路個數最少。
8.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述配置模塊包括：
高壓配置單元，用于將各所述CG線可輸出對所述NAND FLASH進行操作所需的所有可選高壓，一一配置至各所述CG線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京兆易創新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司，未經北京兆易創新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711397343.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種染料降解性能高的復合納米材料
- 下一篇：用于生成頁面的方法和裝置
