[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711396500.1
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108198819B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔曾杰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44238
• 代理人: 潘中毅;熊賢卿

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、選定一基板，在所選基板上表面形成薄膜晶體管柵極以及第一金屬走線，并進一步在所選基板上表面及其形成的薄膜晶體管柵極和第一金屬走線上方覆蓋有柵極絕緣層；

步驟S2、在所述柵極絕緣層上開設(shè)有至少一個貫穿所述柵極絕緣層上下表面并與所述第一金屬走線相連通的第一通孔，并在所述柵極絕緣層上方形成半導(dǎo)體層、第二金屬走線以及與所述半導(dǎo)體層分別相連的薄膜晶體管源極及其漏極；其中，所述第二金屬走線與至少一個第一通孔相連通，并通過所述第一通孔與所述第一金屬走線實現(xiàn)電相連；

步驟S3、在所述柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬走線、薄膜晶體管源極及其漏極上方覆蓋有鈍化層；其中，所述鈍化層上開設(shè)有至少一個貫穿所述鈍化層上下表面并與所述第二金屬走線相連通的第二通孔以及至少一個貫穿所述鈍化層上下表面并與所述薄膜晶體管漏極相連通的第三通孔；

步驟S4、在所述鈍化層上方設(shè)有透明電極層，所述透明電極層經(jīng)圖案化處理后形成連接電極和像素電極；其中，所述連接電極通過所述第二通孔與所述第二金屬走線相連；所述像素電極通過所述第三通孔與所述薄膜晶體管漏極相連；

其中，所述步驟S2具體包括：

在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，并在所述半導(dǎo)體層上方涂抹一層光刻膠后，通過采用半透明光罩使得所述光刻膠圖形化為所需的光阻圖案；

通過干法刻蝕制程對所述光阻圖案中未被光刻膠覆蓋的區(qū)域進行刻蝕，形成依次貫穿所述半導(dǎo)體層及所述柵極絕緣層上下表面并與所述第一金屬走線相連通的第一通孔；

確定所述半導(dǎo)體層的圖案預(yù)留區(qū)，并通過干法刻蝕制程去除所述半導(dǎo)體層除圖案預(yù)留區(qū)之外區(qū)域所對應(yīng)的光阻后，進一步采用干法刻蝕制程刻蝕掉所述半導(dǎo)體層除圖案預(yù)留區(qū)之外的區(qū)域，然后繼續(xù)采用干法刻蝕制程去除所述半導(dǎo)體層的圖案預(yù)留區(qū)上方的光阻；

在所述柵極絕緣層上方設(shè)置薄膜晶體管源極和漏極分別與已去除光阻的半導(dǎo)體層相連，并設(shè)置第二金屬走線與至少一個第一通孔相連通，且進一步通過所述第一通孔與所述第一金屬走線實現(xiàn)電相連。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2還包括：

在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，并在所述半導(dǎo)體層上方涂抹一層光刻膠后，通過采用半透明光罩使得所述光刻膠圖形化為所需的光阻圖案；

通過濕法刻蝕制程對所述光阻圖案中未被光刻膠覆蓋的區(qū)域進行刻蝕，形成貫穿所述半導(dǎo)體層上下表面的第一通孔，并繼續(xù)采用干法刻蝕制程對所述第一通孔進行刻蝕，使得每一個第一通孔均往下繼續(xù)貫穿所述柵極絕緣層上下表面并與所述第一金屬走線相連通；

確定所述半導(dǎo)體層的圖案預(yù)留區(qū)，并通過干法刻蝕制程去除所述半導(dǎo)體層除圖案預(yù)留區(qū)之外區(qū)域所對應(yīng)的光阻后，進一步采用濕法刻蝕制程刻蝕掉所述半導(dǎo)體層除圖案預(yù)留區(qū)之外的區(qū)域，然后繼續(xù)采用堿性溶液去除所述半導(dǎo)體層的圖案預(yù)留區(qū)上方的光阻；

在所述柵極絕緣層上方設(shè)置薄膜晶體管源極和漏極分別與已去除光阻的半導(dǎo)體層相連，并設(shè)置第二金屬走線與至少一個第一通孔相連通，且進一步通過所述第一通孔與所述第一金屬走線實現(xiàn)電相連。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2還進一步包括：

在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，并在所述半導(dǎo)體層上方涂抹第一層光刻膠后，通過采用普通光罩使得所述第一層光刻膠圖形化為所需的第一層光阻圖案；

確定所述第一層光阻下方所對應(yīng)半導(dǎo)體層的區(qū)域為所述半導(dǎo)體層的圖案保留區(qū)，采用干法刻蝕制程刻蝕掉所述半導(dǎo)體層除圖案預(yù)留區(qū)之外的區(qū)域，然后繼續(xù)采用堿性溶液去除所述半導(dǎo)體層的圖案預(yù)留區(qū)上方的光阻；

在所述柵極絕緣層及所述半導(dǎo)體層上方涂抹第二層光刻膠后，通過采用半透明光罩使得所述第二層光刻膠圖形化為所需的第二層光阻圖案；

通過干法刻蝕制程對所述第二層光阻圖案中未被光刻膠覆蓋的區(qū)域進行刻蝕，形成貫穿所述柵極絕緣層上下表面并與所述第一金屬走線相連通的第一通孔；

采用堿性溶液對預(yù)留在所述柵極絕緣層及所述半導(dǎo)體層上方的第二層光阻進行去除；

在所述柵極絕緣層上方設(shè)置薄膜晶體管源極和漏極分別與已去除光阻的半導(dǎo)體層相連，并設(shè)置第二金屬走線與至少一個第一通孔相連通，且進一步通過所述第一通孔與所述第一金屬走線實現(xiàn)電相連。