[發明專利]鉬及鉬合金電極表面Mo5 有效
| 申請號： | 201711395404.5 | 申請日： | 2017-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN108118340B | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 張世宏;毛紹寶;楊英;蔡飛;張林;陳默含 | 申請（專利權）人： | 安徽工業大學 |
| 主分類號： | C23C28/04 | 分類號： | C23C28/04;C23C10/44;C23C8/12 |
| 代理公司： | 安徽知問律師事務所 34134 | 代理人： | 杜袁成 |
| 地址： | 243002 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 合金 電極 表面 mo base sub | ||
1.鉬及鉬合金電極表面Mo5Si3-MoSi2-SiO2高溫防護復合涂層，其特征在于所述高溫防護復合涂層具備多重抗氧化防護層：表層致密連續的SiO2層，下表層自修復MoSi2，底層Mo5Si3過渡層；采用真空活化包滲法實現Mo5Si3-MoSi2復合涂層的制備，所述Mo5Si3-MoSi2復合涂層的厚度為105～160μm，其中MoSi2厚度為100～150μm，Mo5Si3厚度為5～10μm；采用高溫氧化工藝實現SiO2涂層的制備，所述SiO2涂層連續致密，所述SiO2涂層厚度為5～10μm；所述的鉬及鉬合金電極表面Mo5Si3-MoSi2-SiO2高溫防護復合涂層的制備方法具體步驟如下：
(1)鉬及鉬合金電極表面Mo5Si3-MoSi2復合涂層的制備：
A：對鉬及鉬合金電極表面進行超聲波清洗，所用溶液為丙酮，然后進行酒精浸泡并烘干得到的鉬及鉬合金電極樣品；
B：采用球磨機對真空干燥后的硅粉和硼粉進行均勻混合，得到所需混合粉料；
C：將步驟B得到的所述混合粉料倒入石墨坩鍋中，將步驟A所述鉬及鉬合金電極樣品埋入所述石墨坩鍋內的混合粉料中，然后將所述石墨坩鍋放入真空爐中，在1200～1400℃下保溫6～8h；
D：采用活化劑蒸發容器將鹵化物活化劑氟化鈉蒸發進入到所述真空爐的所述石墨坩堝內，蒸發容器的溫度為600～800℃；
E：在真空條件下進行冷卻至室溫，制得表面具有Mo5Si3-MoSi2復合涂層的鉬及鉬合金電極；
(2)高溫氧化工藝制備致密抗氧化SiO2涂層：
F：在大氣環境下，設置升溫程序將馬弗爐升溫至溫度1200～1400℃，并維持恒定；
G：將步驟(1)制備的所述表面具有Mo5Si3-MoSi2復合涂層的鉬及鉬合金電極直接放入已升至設定溫度的馬弗爐中，保溫2～4h后直接從馬弗爐中取出并空冷至室溫，最終制備出所述鉬及鉬合金電極表面Mo5Si3-MoSi2-SiO2高溫防護復合涂層，其中所述SiO2涂層厚度為5～10μm。
2.根據權利要求1所述的鉬及鉬合金電極表面Mo5Si3-MoSi2-SiO2高溫防護復合涂層，其特征在于所述步驟(2)所述高溫氧化工藝中：高溫氧化過程為等溫氧化，不能夠隨爐升溫。
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