[發明專利]一種光刻套刻精度差的優化方法

在審

• 申請號: 201711393107.7
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108122747A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 王青;孫勤;高杏;申廣耀
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，所述光刻套刻精度差的優化方法，包括，

執行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上制備具有硅化物膜層-氧化物膜層-氮化物膜層結構的功能膜層；

執行步驟S2：在所述功能膜層之異于硅基襯底的一側淀積底層抗反射涂層，并通過光刻工藝定義單元區域；

執行步驟S3：利用刻蝕工藝將單元區域以外部分的氮化物膜層刻蝕去除，將單元區域的結構進行保留；

執行步驟S4：通過ISSG工藝，分步氧化所述功能膜層之氮化物膜層，以獲得頂層氧化物層。

2.如權利要求1所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，在執行步驟S4時，通過ISSG工藝，至少分兩步氧化所述功能膜層之氮化物膜層，以獲得頂層氧化物層。

3.如權利要求1所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，在執行步驟S4時，通過ISSG工藝，分兩步氧化所述功能膜層之氮化物膜層，以獲得頂層氧化物層。

4.如權利要求3所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，在執行步驟S4時，所述步驟S4進一步包括，

執行步驟S41：通過第一步氧化所述功能膜層之氮化物膜層，生長第一頂層氧化物層；

執行步驟S42：通過第二步氧化所述功能膜層之氮化物膜層，在所述第一頂層氧化物層上生長第二頂層氧化物層。

5.如權利要求4所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，在通過第一步氧化所述功能膜層之氮化物膜層時，所述ISSG工藝的溫度條件為900～1100℃，通入的氫氧比為0.1％～100％，氣體流量為1～100slm/s，采用較薄厚度(40～60埃)之ISSG的第一條件生長第一頂層氧化物層。

6.如權利要求4所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，在通過第二步氧化所述功能膜層之氮化物膜層時，所述ISSG工藝的溫度條件為900～1100℃，通入的氫氧比為0.1％～100％，氣體流量為1～100slm/s，采用較薄厚度(40～60埃)之ISSG的第二條件在所述第一頂層氧化物層上生長第二頂層氧化物層。

7.如權利要求1所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，分步氧化所述功能膜層之氮化物膜層，以獲得頂層氧化物層時，每步所采用的較薄厚度(40～60埃)之ISSG條件不同。

8.如權利要求1所述光刻套刻精度差的優化方法，其特征在于，在執行步驟S3時，將單元區域以外部分的氮化物膜層刻蝕去除系通過干法刻蝕工藝。