[發明專利]閃存器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201711392310.2
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN108133937A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 鄒榮;陳昊瑜;王奇偉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種閃存器件，其特征在于，包括形成在襯底中的源極和漏極、形成在襯底表面之上的處于源極和漏極之間的柵極結構，所述柵極結構從下至上依次包括層疊的隧穿氧化層、浮柵層、絕緣介質層和控制柵層，其中所述浮柵層刻蝕形成有凹槽，所述絕緣介質層形成在設置有凹槽的浮柵層的表面之上。

2.如權利要求1所述的閃存器件，其特征在于，所述絕緣介質層為ONO結構，從下至上依次包括層疊的第一氧化物層、氮化物層和第二氧化物層。

3.如權利要求1所述的閃存器件，其特征在于，所述閃存器件為NOR型閃存器件。

4.如權利要求2所述的閃存器件，其特征在于，所述第一氧化物層、第二氧化物層均為氧化硅或者氮氧化硅。

5.如權利要求2所述的閃存器件，其特征在于，所述氮化物層均為氮化硅。

6.一種閃存器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，在襯底中形成源極和漏極；

步驟S2，在襯底表面之上、且處于源極和漏極之間形成隧穿氧化層；

步驟S3，在隧穿氧化層之上形成浮柵層；

步驟S4，在浮柵層設置光罩，通過曝光的方式在浮柵層的上表面向下刻蝕以形成凹槽；

步驟S5，去除光罩，以在形成有凹槽的浮柵層表面形成絕緣介質層；

步驟S6，在絕緣介質層之上形成控制柵層。

7.如權利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S4中，所述光罩為光刻膠，通過負膠的方式曝光，利用干法刻蝕在浮柵層的上表面向下刻蝕以形成凹槽。

8.如權利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成在浮柵層上的凹槽為沉槽，以使形成在浮柵層上的凹槽的深度小于浮柵層的高度。

9.如權利要求8所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成在浮柵層上的凹槽的深度等于浮柵層的高度的一半。

10.如權利要求6所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成在浮柵層的凹槽的數量為一個以上。