[發(fā)明專利]一種利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711389052.2
• 申請(qǐng)日: 2017-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN108298564A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢虎;邵京明;馮玉華;姜鑫;丁雨波;陳學(xué)輝;潘貴;遲正峰;劉偉慶;朱萬強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 甘肅招金貴金屬冶煉有限公司
• 主分類號(hào): C01D3/04
• 分類號(hào): C01D3/04;C01B17/22;C22B3/12;C22B30/02;C25C1/22
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616
• 代理人: 曾龍

本發(fā)明公開了一種利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，其包括如下步驟：第一步，電積貧液蒸發(fā)結(jié)晶：將電積貧液置于100℃熱水中蒸發(fā)，然后在室溫下冷卻結(jié)晶過濾、自然干燥、并稱重；結(jié)晶后的產(chǎn)品是硫化鈉，系統(tǒng)浸出銻的時(shí)候加的藥劑是硫化、結(jié)晶后系統(tǒng)自產(chǎn)的硫化鈉應(yīng)用與浸出系統(tǒng)做浸出劑；第二步，將第一步中結(jié)晶后的硫化鈉放入溶解液中進(jìn)行溶解，形成硫酸鈉溶液；第三步，硫酸鈉溶液中和凈化；第四步：還原制備氯化鈉產(chǎn)品。本發(fā)明所述的利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，對(duì)電積貧液進(jìn)行蒸發(fā)結(jié)晶，產(chǎn)出硫化鈉結(jié)晶，返回浸出工段重新用于生產(chǎn)，減少硫化鈉藥劑用量，凈化電解液雜質(zhì)，優(yōu)化電積過程。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，尤其涉及一種利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

電積是濕法冶金名詞，就是將萃取富集后的含金屬離子的溶液電解沉積產(chǎn)出陰極金屬。在濕法冶金中，電積就是將萃取富集后的銻溶液電解沉積產(chǎn)出陰極銻。電解進(jìn)液的銻濃度一般為45～50g/L，電解后液的銻濃度為20～30g/L。電解貧液返回到萃取作為反萃取劑使用，依據(jù)其中鐵的累積情況，抽出少量貧液返回浸出，以維持鐵的平衡.電積貧液含有大量硫化鈉藥劑和硫酸鹽、亞硫酸鹽等雜質(zhì)，雜質(zhì)離子對(duì)電積影響很大，惡化電積過程，降低了電效，造成藥劑浪費(fèi)，增加生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于：針對(duì)上述存在的問題，提供一種利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，對(duì)電積貧液進(jìn)行蒸發(fā)結(jié)晶，產(chǎn)出硫化鈉結(jié)晶，返回浸出工段重新用于生產(chǎn)，減少硫化鈉藥劑用量，凈化電解液雜質(zhì)，優(yōu)化電積過程。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，其包括如下步驟：

第一步，電積貧液蒸發(fā)結(jié)晶：將電積貧液置于100℃熱水中蒸發(fā)，然后在室溫下冷卻結(jié)晶過濾、自然干燥、并稱重；結(jié)晶后的產(chǎn)品是硫化鈉，系統(tǒng)浸出銻的時(shí)候加的藥劑是硫化、結(jié)晶后系統(tǒng)自產(chǎn)的硫化鈉應(yīng)用與浸出系統(tǒng)做浸出劑；

第二步，將第一步中結(jié)晶后的硫化鈉放入溶解液中進(jìn)行溶解，溶解液中Cu/Fe＝30：1， PH＝0.5～1，形成硫酸鈉溶液；

第三步，硫酸鈉溶液中和凈化；用氫氧化鈉液作為中和試劑中和硫酸鈉溶液至pH＝1～2，然后過濾凈化，得到凈化后液；

第四步：按照15:1的比例配備凈化后液和還原液，進(jìn)行還原反應(yīng)，還原制備氯化鈉產(chǎn)品。

本發(fā)明所述的利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，其所述第四步中，還原液按照濃度分別為200g/L的亞硫酸鈉和氫氧化鈉按照體積比為2:1的體積混合，還原pH＝2.0，然后進(jìn)行過濾，真空干燥氯化鈉產(chǎn)品。

本發(fā)明所述的利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，其所述第四步中，還原時(shí)間為250min。

本發(fā)明所述的利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，其所述電積貧液的制備：將金精礦在液固比1:1、氫氧化鈉20g/L、硫化鈉40g/L的條件下進(jìn)行浸出，浸出時(shí)間1h，浸出溫度40℃；對(duì)典型浸出液進(jìn)行化學(xué)分析，選出主要成分(g/L):Sb53.2、As0.25、Au1.25、NaOH15.6、Na₂S5.2、SX^2-1.5的電積貧液。

本發(fā)明所述的利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，其所述電積試驗(yàn)在隔膜電積槽中進(jìn)行，電積槽為雙陽極區(qū)，陰極區(qū)尺寸22cmX14cmX5cm,陽極區(qū)尺寸10cmX15cmX24cm；同極距12cm；陰極電流密度250A/m²、陽極電流密度1200A/m²；陰極液含有Sb53.2、Au1.25、Na2S5.2，陽極液為120g/L的NaOH水溶液。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明所述的利用電積貧液生產(chǎn)硫化鈉結(jié)晶的方法，對(duì)電積貧液進(jìn)行蒸發(fā)結(jié)晶，產(chǎn)出硫化鈉結(jié)晶，返回浸出工段重新用于生產(chǎn)，減少硫化鈉藥劑用量，凈化電解液雜質(zhì)，優(yōu)化電積過程。