[發明專利]一種降低硅空洞缺陷率的硅層減薄方法有效
| 申請號： | 201711388150.4 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108091558B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 王永波 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/67;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 空洞 缺陷 硅層減薄 方法 | ||
1.一種降低硅空洞缺陷率的硅層減薄方法，適用于在刻蝕裝置中對復合結構中的硅層進行減薄，所述刻蝕裝置具有一刻蝕腔室，所述刻蝕腔室內置有HHC，所述HHC為HF、HNO3、HAC的混合液，所述復合結構包括復合基底及設置在所述復合基底上的所述硅層；其特征在于，所述硅層減薄方法包括：
步驟S1、進行激活操作，于所述刻蝕腔室內添加一P+類型的第一控片，隨后取出所述第一控片；
步驟S2、進行第一次調節操作，于所述刻蝕腔室內添加一P-類型的第二控片，所述第二控片用于中和部分所述第一控片帶來的空穴，隨后取出所述第二控片；
步驟S3、進行第一次跑貨操作，于所述刻蝕腔室內依次添加多個未經減薄處理的所述復合結構，利用所述HHC依次對多個未經減薄處理的所述復合結構中的所述硅層進行刻蝕減薄處理，隨后依次取出經過刻蝕減薄后的多個所述復合結構；
步驟S4、進行第二次調節操作，于所述刻蝕腔室內添加一P-類型的第三控片，所述第三控片用于中和部分所述HHC在進行刻蝕減薄處理時帶來的空穴，隨后取出所述第三控片；
步驟S5、進行第二次跑貨操作，于所述刻蝕腔室內依次添加多個未經減薄處理的所述復合結構，利用所述HHC依次對多個未經減薄處理的所述復合結構中的所述硅層進行所述刻蝕減薄處理，隨后依次取出經過刻蝕減薄后的多個所述復合結構，隨后退出。
2.根據權利要求1的硅層減薄方法，其特征在于，所述復合基底包括元件及設置在所述元件上的外延層，所述硅層設置于所述外延層的上表面。
3.根據權利要求2的硅層減薄方法，其特征在于，所述外延層為P-型外延層。
4.根據權利要求2的硅層減薄方法，其特征在于，所述外延層和所述硅層的厚度為26um。
5.根據權利要求2的硅層減薄方法，其特征在于，所述外延層的厚度為4.3um。
6.根據權利要求1的硅層減薄方法，其特征在于，所述步驟S3中，進行第一次跑貨操作時，于所述刻蝕腔室內添加4個未經減薄處理的所述復合結構。
7.根據權利要求1的硅層減薄方法，其特征在于，所述步驟S5中，進行第二次跑貨操作時，于所述刻蝕腔室內添加4個未經減薄處理的所述復合結構。
8.根據權利要求1的硅層減薄方法，其特征在于，所述復合結構為背照式圖像傳感器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
