[發明專利]一種碳化硅納米線的制備方法在審
| 申請號: | 201711387518.5 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN108048858A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 盧北虎;劉飛;徐增師;裴波;胡棋威 | 申請(專利權)人: | 武漢船用電力推進裝置研究所(中國船舶重工集團公司第七一二研究所) |
| 主分類號: | C25B1/00 | 分類號: | C25B1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 武漢凌達知識產權事務所(特殊普通合伙) 42221 | 代理人: | 劉念濤;宋國榮 |
| 地址: | 430064 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 納米 制備 方法 | ||
本發明公開了一種碳化硅納米線的制備方法,先以稻殼為原料,用去離子水洗滌除去雜質,在105℃下干燥10h;然后放入粉碎機中粉碎成粉末過篩,用粉末壓片機壓制成圓形試片,用泡沫鎳包裹起來作為工作電極,以光譜純的石墨棒作為對電極;再以無水CaCl
技術領域
本發明屬于碳化硅材料制備技術領域,具體涉及一種基于稻殼的低溫熔鹽電解制備碳化硅納米線的方法。
背景技術
碳化硅納米線不僅具有其本體所固有的輕質、耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、耐輻照等性能,同時還具有其大尺寸材料所不具備的性質如優異的力學性能(高彈性和強度、高彈性模量)、光學性能(室溫下的光致發光、光催化儲氫)。
這些特性使得碳化硅納米線在儲能、光催化、機械、電力、航天航空等領域具有廣闊的應用前景。
目前稻殼合成碳化硅納米線的研究已經有很多,但是合成碳化硅納米線時的反應溫度較高(高于1000 ℃),反應時間也較長(4~6h),而且有的采用三電極恒電位熔鹽電解,不適宜工業方法生產。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的目的在于提供了一種較低溫、高反應速率且工藝簡單的碳化硅的制備方法。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種碳化硅納米線的制備方法,步驟為
1),以農業廢棄物稻殼為原料,將其用去離子水洗滌除去雜質,在105 ℃下干燥10h后備用;
2),將干燥后的稻殼放入粉碎機中粉碎成粉末然后過篩至一定目數,將過篩后的稻殼粉用粉末壓片機壓制成圓形試片,用泡沫鎳包裹起來作為工作電極,以光譜純的石墨棒作為對電極;
3),以無水CaCl
4),將上述電極和盛放混合鹽的石墨坩堝置于耐高溫材質的反應器中,并向反應器中通入惰性氣體,通電加熱熔鹽至工作溫度;
5),將工作電極和對電極與恒電位儀的控制端連接,采用不同的槽壓對稻殼試片進行電解一定時間,從而制備得到碳化硅納米線。
所述的一種碳化硅納米線的制備方法,其特征在于,其步驟2)中的稻殼過篩目數為100~300目;壓制的圓形試片直徑為10~20 mm,厚度約為1~2 mm。
所述的一種碳化硅納米線的制備方法,其步驟3)中所用的熔鹽主要為無水CaCl
所述的一種碳化硅納米線的制備方法,其步驟4)中惰性氣體為氬氣;熔鹽工作溫度以650℃至750℃為宜。
所述的一種碳化硅納米線的制備方法,其步驟5)中熔鹽電解時間為1~2 h;電解槽壓為2.4~2.6 V。
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