[發(fā)明專利]一種大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711386957.4
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108122994A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 王智;楊秀斌;孟繁新;王光磊
• 申請（專利權）人: 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八三七廠）
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 貴陽睿騰知識產權代理有限公司 52114
• 代理人: 谷慶紅

1.一種大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，由低電容二極管管芯(1)、銅片(2)、大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)組成；低電容二極管管芯(1)的金屬化層b(16)通過焊接與銅片(2)頂端連接，大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)的金屬化層c(35)通過焊接與銅片(2)底端連接。

2.如權利要求1所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的低電容二極管管芯(1)結構為P⁺-N^－-N⁺型，由P⁺區(qū)a(11)、N^－區(qū)(12)、N⁺區(qū)a(13)、鈍化玻璃a(14)、金屬化層a(15)、金屬化層b(16)組成，低電容二極管管芯(1)的剖面截層結構依次為鈍化玻璃a(14)、金屬化層a(15)、P⁺區(qū)a(11)、N^－區(qū)(12)、N⁺區(qū)a(13)、金屬化層b(16)，鈍化玻璃a(14)包覆低電容二極管管芯(1)的臺面?zhèn)缺冢饘倩瘜觔(16)通過焊接與銅片(3)頂端連接。

3.如權利要求1所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)結構為N⁺-P-P⁺型，由N⁺區(qū)b(31)、P區(qū)(32)、P⁺區(qū)b(33)、鈍化玻璃b(34)、金屬化層c(35)、金屬化層d(36)組成，大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)的剖面截層結構依次為鈍化玻璃b(34)、金屬化層c(35)、N⁺區(qū)b(31)、P區(qū)(32)、P⁺區(qū)b(33)、金屬化層d(36)，鈍化玻璃b(34)包覆大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)的臺面?zhèn)缺冢饘倩瘜觕(35)通過焊接與銅片(3)底端連接。

4.如權利要求1所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的低電容二極管管芯(1)與大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)為共陰極串聯(lián)連接，大功率瞬態(tài)電壓抑制二極管管芯(3)的陽極為正極，低電容二極管管芯(1)的陽極為負極。

5.如權利要求1所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的低電容二極管管芯(1)采用N型硅電阻率為85～90Ω·cm單晶片制作；P⁺區(qū)a(11)采用1E20cm^-3的高濃度硼源摻雜；N⁺區(qū)a(13)采用5E20cm^-3的高濃度磷源摻雜。

6.如權利要求1所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的低電容二極管管芯(1)的結深X_jP為45～55μm，結深X_jN為55～65μm，芯片厚度t為200μm±10μm，管芯面積A為2.41mm²±0.15mm²。

7.如權利要求1所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的銅片(2)尺寸為Ф2.5mm×0.5mm。

8.如權利要求1、2、3所述的大功率超低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述的金屬化層a、b、c、d為鎳金屬。