[發明專利]一種晶體生長爐用保溫裝置

在審

• 申請號: 201711386301.2
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108130593A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 高攀;孔海寬;忻雋;施爾畏
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/02
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優麗

1.一種晶體生長爐用保溫裝置，其特征在于，所述保溫裝置包括卷繞包覆在晶體生長爐外的位于內側的至少一層第一石墨碳氈和位于外側的至少一層第二墨碳氈，以及夾所述第一石墨氈和第二石墨氈之間的至少一層石墨紙，沿所述晶體生長爐的縱軸方向，所述第二石墨氈的高度覆蓋整個晶體的高度，所述至少一層石墨紙的高度從所述第二石墨碳氈的頂部延伸至晶體生長爐的頂蓋下方10～20 mm處，所述第一石墨碳氈的高度大于等于所述至少一層石墨紙的高度，且小于等于所述第二石墨氈的高度。

2.根據權利要求1所述的晶體生長爐用保溫裝置，其特征在于，所述石墨紙的純度高于99.9%，厚度為0.2～4 mm，優選1～2 mm。

3.根據權利要求1或2所述的晶體生長爐用保溫裝置，其特征在于，所述第一石墨碳氈的層數為一層或兩層，所述第二石墨碳氈的層數為兩層以上。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的晶體生長爐用保溫裝置，其特征在于，所述第一石墨碳氈和/或第二石墨碳氈包括石墨軟碳氈和/或石墨硬碳氈。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的晶體生長爐用保溫裝置，其特征在于，所述單層第一石墨碳氈和/或單層第二石墨碳氈的厚度為5～20 mm。

6.一種晶體生長爐，其特征在于，包括發熱線圈、發熱體，以及設置在所述發熱線圈和發熱體之間的如權利要求1-5中任一項所述的保溫裝置。

7.根據權利要求6所述的晶體生長爐，其特征在于，所述第一石墨碳氈和第二石墨碳氈總厚度小于發熱線圈的內側半徑與發熱體半徑的差再減去5 mm的數值。