[發(fā)明專利]LED芯片及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711385756.2
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN109950378A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉珊珊;廖漢忠;陳順利;丁逸圣
• 申請（專利權(quán)）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 司佩杰;李雙皓

1.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供LED芯片主體；

采用物理氣相沉積方式在所述芯片主體表面形成金屬層；

對沉積所述金屬層后的所述芯片主體進(jìn)行退火處理，得到結(jié)晶態(tài)金屬氧化物薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為500℃～600℃，保溫時間為4min～40min，退火氣氛為氧氣或者氧氣與氮氣的混合氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述退火處理中，退火氣氛的氣體通入流量為2標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘～30標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Ni、Al、Ti、Mg及Ag中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為0.5nm～5nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述芯片主體的制備步驟為：

a)提供襯底，依次在所述襯底上形成N半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及P半導(dǎo)體層；

b)刻蝕所述P半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述N半導(dǎo)體層，形成自所述P半導(dǎo)體層延伸至所述N半導(dǎo)體層的缺口；

c)于所述P半導(dǎo)體層部分區(qū)域上沉積、刻蝕形成電流阻擋層；

d)于所述P半導(dǎo)體層上沉積氧化銦錫層，所述氧化銦錫層包覆所述電流阻擋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，步驟d)中所述氧化銦錫層的沉積厚度為20nm～100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述退火處理后，同時刻蝕所述氧化銦錫層和所述結(jié)晶態(tài)金屬氧化物薄膜，分別形成電流擴(kuò)展層和保護(hù)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述刻蝕的方法為濕法刻蝕，刻蝕時間為30s～150s。

10.一種LED芯片，包括芯片主體以及形成在所述芯片主體表面上的保護(hù)層，其特征在于，所述保護(hù)層為結(jié)晶態(tài)金屬氧化物薄膜。