[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711385694.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN107994068A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何云;劉桂芝;張磊;徐吉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海南麟電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)至少包括：

襯底；

位于所述襯底上的外延層；

從所述外延層表面延伸至所述外延層內(nèi)部的主結(jié)；以及

摻雜濃度沿所述主結(jié)中心向邊緣方向連續(xù)遞減的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)從所述外延層表面延伸至所述外延層內(nèi)部，且位于所述主結(jié)的側(cè)壁；

其中，所述襯底及所述外延層具有第一導(dǎo)電類型，所述主結(jié)及所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)具有第二導(dǎo)電類型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述主結(jié)深度大于所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型為P型摻雜，所述第二導(dǎo)電類型為N型摻雜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型為N型摻雜，所述第二導(dǎo)電類型為P型摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底的摻雜濃度大于所述外延層的摻雜濃度，所述主結(jié)的摻雜濃度大于所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的摻雜濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)環(huán)繞于所述主結(jié)的四周邊緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的摻雜圖形所占的面積從所述主結(jié)的中心向邊緣方向呈連續(xù)遞減分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述摻雜圖形為均勻分布于所述主結(jié)四周邊緣的若干梯形開口，各梯形開口的兩條平行邊與所述主結(jié)的邊緣平行，且靠近所述主結(jié)的平行邊的長度大于遠(yuǎn)離所述主結(jié)的平行邊的長度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的摻雜濃度沿所述主結(jié)中心向邊緣方向連續(xù)線性遞減。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的摻雜濃度滿足如下關(guān)系：

D′=(aa+c-a-ba+c·h′h)D]]>

其中，D’為距所述主結(jié)邊緣距離h’處的摻雜濃度，a為所述梯形開口靠近所述主結(jié)的平行邊的長度，b為所述梯形開口遠(yuǎn)離所述主結(jié)的平行邊的長度，c為相鄰兩梯形開口在所述主結(jié)邊緣的間距，h為所述梯形開口的高度，h’為距所述主結(jié)邊緣的距離，D為注入摻雜濃度。

11.一種半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)至少包括：

步驟S1：提供一襯底，于所述襯底上形成外延層，于所述外延層中形成主結(jié)；

步驟S2：于所述主結(jié)的邊緣形成摻雜圖形，所述摻雜圖形所占的面積從所述主結(jié)的中心向邊緣方向呈連續(xù)遞減分布；

步驟S3：于各梯形開口中注入離子，并進(jìn)行高溫退火處理，以形成環(huán)繞于所述主結(jié)四周的環(huán)形結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，所述結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的摻雜濃度沿所述主結(jié)中心向邊緣方向連續(xù)遞減。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：步驟S1中，提供一N型襯底，于所述N型襯底上外延生長N型外延層，通過離子注入于所述N型外延層中形成所述P型主結(jié)。