[發明專利]半導體器件和半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201711385296.3
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108321139A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 榊原明德
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/492;H01L21/603
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 魯山;孫志湧

1.一種半導體器件的制造方法，所述制造方法的特征在于，包括：

(a)將包含金屬粒子的導電膏涂覆到電極板中的指定區域，所述電極板在所述電極板的表面中包括凹部，所述指定區域與所述凹部相鄰；

(b)將半導體芯片放置在所述導電膏上，使得所述半導體芯片的外周邊緣位于所述凹部上方；以及

(c)通過在朝向所述電極板的方向上向所述半導體芯片施加壓力的同時加熱所述導電膏，使所述導電膏硬化。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述步驟(a)中，不將所述導電膏涂覆到所述凹部的底表面，以及

在所述步驟(c)中，已經從所述指定區域流入所述凹部中的所述導電膏與所述凹部的所述底表面接觸。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括：(d)在所述凹部上方并且靠近所述半導體芯片的所述外周邊緣的位置設置夾具。

4.一種半導體器件，所述半導體器件的特征在于，包括：

電極板，所述電極板包括凹部和與所述凹部相鄰的指定區域，所述凹部在所述電極板的表面中；

接合層，所述接合層由金屬構成，并且覆蓋從所述指定區域延伸至所述凹部的區域；以及

半導體芯片，所述半導體芯片被設置成面對所述指定區域和所述凹部，所述半導體芯片在所述指定區域和所述凹部上方與所述接合層接合，并且所述半導體芯片的外周邊緣位于所述凹部上方，其中，

所述凹部中的所述接合層的空隙率高于所述指定區域中的所述接合層的空隙率。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述接合層的與所述半導體芯片的所述外周邊緣相鄰的部分的表面相對于所述半導體芯片的下表面傾斜，以在延伸遠離所述指定區域的同時朝向所述凹部的底表面偏移。

6.根據權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于，所述接合層是導電膏。

7.根據權利要求4至6中的任一項所述的半導體器件，其特征在于，

所述凹部按環狀形狀在所述電極板的所述表面中延伸，以包圍所述半導體芯片，以及

所述指定區域是被所述凹部包圍的區域。