[發(fā)明專利]一種納米環(huán)的量子糾纏態(tài)獲取方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711384946.2 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN108100992B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉羽;朱紅;任丹琴;陳俊;崔坤磊 | 申請(專利權(quán))人: | 鄭州云海信息技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | B82B3/00 | 分類號: | B82B3/00;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 李紅爽;龍洪 |
| 地址: | 450018 河南省鄭州市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米環(huán) 自旋軌道耦合 量子糾纏態(tài) 電場 磁場 輸入磁場 調(diào)控 | ||
本發(fā)明公開了一種納米環(huán)的量子糾纏態(tài)獲取方法及其裝置。該方法,包括:獲取納米環(huán);對所述納米環(huán)輸入電場和磁場,調(diào)控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合,以產(chǎn)生量子糾纏態(tài),所述第一自旋軌道耦合包括對所述納米環(huán)輸入所述電場獲取的自旋軌道耦合,所述第二自旋軌道耦合包括對所述納米環(huán)輸入磁場獲取的自旋軌道耦合。實現(xiàn)了通過對所述納米環(huán)輸入電場和磁場,獲得產(chǎn)生的量子糾纏態(tài),從而可以較為高效的獲得量子糾纏態(tài)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及計算機(jī)技術(shù),尤指一種納米環(huán)的量子糾纏態(tài)獲取方法及其裝置。
背景技術(shù)
隨著科技的發(fā)展,以及近年來移動智能終端和人工智能的發(fā)展,人類社會的信息量呈爆炸式增加。
從傳統(tǒng)的CPU到GPU,再到FPGA,以及專門面向人工智能計算的ASIC處理器,雖然性能在不斷的提升,但均無法滿足當(dāng)前處理信息的需求。現(xiàn)有技術(shù)中,人們采用從激光器發(fā)出的光子來操控量子態(tài),以實現(xiàn)量子計算對信息進(jìn)行處理,量子計算每次操作完成的操作數(shù)是實際所使用到的疊加的量子態(tài)個數(shù)的指數(shù)倍,例如,一個擁有60個量子態(tài)疊加的量子計算機(jī),在一次操作中可完成260的操作能力。
然而,本領(lǐng)域技術(shù)人員在實現(xiàn)上述現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn),從激光器發(fā)出的光子具有相當(dāng)不錯的相干性,但使用光子作為量子態(tài)的操控性比較難,從而導(dǎo)致無法方便的利用量子糾纏態(tài)。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種納米環(huán)的量子糾纏態(tài)獲取方法及其裝置,用以解決無法方便的利用量子糾纏態(tài)的問題。
為了達(dá)到本發(fā)明目的,本發(fā)明提供了一種納米環(huán)的量子糾纏態(tài)獲取方法,包括:
獲取納米環(huán);
對所述納米環(huán)輸入電場和磁場,調(diào)控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合,以產(chǎn)生量子糾纏態(tài),所述第一自旋軌道耦合包括對所述納米環(huán)輸入所述電場獲取的自旋軌道耦合,所述第二自旋軌道耦合包括對所述納米環(huán)輸入磁場獲取的自旋軌道耦合。
進(jìn)一步的,所述獲取納米環(huán)之后,還包括:
向所述納米環(huán)注入N個電子;
通過所述量子糾纏,獲得2N個自旋量子糾纏態(tài),N為大于或等于1的整數(shù)。
進(jìn)一步的,所述對所述納米環(huán)輸入電場和磁場,調(diào)控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合,以產(chǎn)生量子糾纏態(tài)之后,還包括:
通過光吸收譜的信息,獲取所述納米環(huán)中自旋量子糾纏態(tài)的信息。
進(jìn)一步的,所述納米環(huán)包括砷化鎵/鋁砷化鎵(GaAs/AlGaAs)生成的量子阱。
進(jìn)一步的,所述納米環(huán)的半徑為30納米。
本發(fā)明還提供了一種納米環(huán)的量子糾纏態(tài)獲取裝置,包括:
獲取模塊,用于獲取納米環(huán);
處理模塊,用于對所述納米環(huán)輸入電場和磁場,調(diào)控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合,以產(chǎn)生量子糾纏態(tài),所述第一自旋軌道耦合包括對所述納米環(huán)輸入所述電場獲取的自旋軌道耦合,所述第二自旋軌道耦合包括對所述納米環(huán)輸入磁場獲取的自旋軌道耦合。
進(jìn)一步的,所述處理模塊,還用于向所述納米環(huán)注入N個電子;通過所述量子糾纏,獲得2N個自旋量子糾纏態(tài),N為大于或等于1的整數(shù)。
進(jìn)一步的,所述處理模塊,還用于通過光吸收譜的信息,獲取所述納米環(huán)中自旋量子糾纏態(tài)的信息。
進(jìn)一步的,所述納米環(huán)包括砷化鎵/鋁砷化鎵(GaAs/AlGaAs)生成的量子阱。
進(jìn)一步的,所述納米環(huán)的半徑為30納米。
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