[發明專利]一種半導體芯片及半導體芯片的封裝方法

在審

• 申請號: 201711384461.3
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN107946250A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 赫然;須賀唯知;王英輝
• 申請（專利權）人: 中科院微電子研究所昆山分所
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/367;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片包括芯片層和第一基板；

所述第一基板的表面鍵合有所述芯片層，所述第一基板中朝向所述芯片層的表面設置有至少一個第一凸起，所述第一凸起周圍形成有凹陷區域；

所述第一凸起的上表面與所述芯片層相接觸，所述凹陷區域中設置有連接所述芯片層與所述第一基板的粘結質。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述芯片層包括半導體層和第一金屬層；

所述第一金屬層覆蓋于所述半導體層朝向所述第一基板的表面。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片，其特征在于，所述第一基板朝向所述芯片層的表面覆蓋有第二金屬層。

4.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述第一基板中朝向所述芯片層的表面的邊緣部形成有所述凹陷區域，所述邊緣部為與所述第一基板的各個側邊的距離在預先設置的范圍內的區域。

5.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述粘結質為焊膏。

6.根據權利要求1至5任一項權利要求所述的半導體芯片，其特征在于，所述第一基板背向所述芯片層的表面鍵合有第二基板，所述第二基板與所述第一基板之間設置有第二凸起，所述第二凸起周圍形成有所述凹陷區域；

所述第二凸起的上表面與所述第一基板或第二基板相接觸，所述凹陷區域中設置有連接所述第一基板與所述第二基板的粘結質。

7.一種半導體芯片的封裝方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一基板的凹陷區域中設置粘結質；其中，所述第一基板的表面設置有至少一個第一凸起，所述第一凸起周圍形成有所述凹陷區域；

將芯片層壓合于所述第一基板的表面，以將具有第一高度的所述第一凸起壓低成具有第二高度的第一凸起；

加熱所述第一基板和所述芯片層，以使所述第一基板與所述芯片層相互鍵合。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述加熱所述第一基板和所述芯片層，以使所述第一基板與所述芯片層相互鍵合包括：

以第一溫度加熱所述第一基板和所述芯片層，以使所述第一凸起的上表面直接鍵合于所述芯片層；

以第二溫度加熱所述第一基板和所述芯片層，以使所述粘結質固定連接所述第一基板與所述芯片層。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述將芯片層壓合于所述第一基板的表面，以將具有第一高度的所述第一凸起壓低成具有第二高度的所述第一凸起之前，所述方法還包括：

加熱所述第一基板，以揮發所述粘結質中的揮發性物質。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述在第一基板的凹陷區域中設置粘結質之前，所述方法還包括：

清洗所述第一基板。