[發明專利]垂直型雙色LED芯片的制備方法及芯片

在審

• 申請號: 201711383452.2
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN107994111A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 尹曉雪
• 申請（專利權）人: 西安智盛銳芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/48;H01L33/00
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙)61230
• 代理人: 黃晶晶

1.一種垂直型雙色LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：

(a)制作襯底；

(b)在所述襯底上制備藍光材料；

(c)在所述襯底上制備綠光燈芯槽并在所述綠光燈芯槽內生長綠光材料；

(d)在所述藍光材料、所述綠光材料上制備鍵合層；

(e)去除所述襯底并制備上電極；

(f)在所述鍵合層底部制備下電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底或者SiC襯底。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(b)包括：依次在所述襯底上生長藍光GaN緩沖層、藍光GaN穩定層、藍光n型GaN層、藍光InGaN/GaN多量子阱結構、藍光p型AlGaN阻擋層、藍光p型GaN層。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟(c)包括：

(c1)在所述藍光材料上生長第一氧化層；

(c2)采用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述第一氧化層形成綠光燈芯窗口；

(c3)采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述綠光燈芯窗口內材料直到所述襯底形成綠光燈芯凹槽；

(c4)去掉所述第一氧化層并淀積第二氧化層；

(c5)刻蝕所述第二氧化層形成綠光燈芯槽；

(c6)在所述綠光燈芯槽內生長綠光材料。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟(d)包括：

(d1)在所述藍光材料、所述綠光材料上表面上制備電極層；

(d2)在所述電極層上制備第一金屬層；

(d3)選取金屬板材并在所述金屬板材上制備第二金屬層；

(d4)將所述第一金屬層與所述第二金屬層進行鍵合形成鍵合層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層與所述第二金屬層材料相同。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為300nm-1500nm。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為500nm-2500nm。

9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟(e)包括：

(e1)用準分子激光器去除所述襯底；

(e2)在所述藍光GaN緩沖層上制備上電極。

10.一種垂直型雙色LED芯片，其特征在于，所述垂直型雙色LED芯片由權利要求1～9任一項的制備方法制備形成。