[發明專利]基于GaN材料的垂直結構LED芯片及LED燈在審
| 申請號： | 201711383450.3 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108054262A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 左瑜 | 申請（專利權）人： | 西安智盛銳芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/50;H01L33/64;H01L33/48 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黃晶晶 |
| 地址： | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 gan 材料 垂直 結構 led 芯片 | ||
1.一種基于GaN材料的垂直結構LED芯片，其特征在于，包括：
藍光發光組件、紅光發光組件、公共正電極組件、藍光發光組件負電極及紅光發光組件負電極，其中，
所述公共正電極組件設置于所述藍光發光組件及所述紅光發光組件上，所述藍光發光組件負電極及所述紅光發光組件負電極分別設置于所述藍光發光組件及所述紅光發光組件上，其中，所述藍光發光組件包括GaN材料。
2.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，還包括SiO
3.如權利要求2所述的芯片，其特征在于，所述公共正電極組件包括：
第一金屬接觸層，設置于所述藍光發光組件及所述紅光發光組件上表面；
反光金屬層，設置于所述第一金屬接觸層上；
第二金屬接觸層，設置于所述反光金屬層上；
導電襯底層，設置于所述第二金屬接觸層上。
4.如權利要求3所述的芯片，其特征在于，所述藍光發光組件依次包括：
第一GaN緩沖層、第一GaN穩定層、第一n型GaN層、第一InGaN/GaN多量子阱有源層(104)、第一p型AlGaN阻擋層(105)及第一p型GaN層(106)。
5.如權利要求3所述的芯片，其特征在于，所述紅光發光組件依次包括：
第二GaN緩沖層(401)、n型GaAs緩沖層(402)、n型GaAs穩定層(403)、GalnP/A1GaInP多量子阱有源層(404)、p型A1GaInP阻擋層(405)及p型GaAs接觸層(406)。
6.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述公共正電極組件依次包括第一金屬連接層(801)、反光金屬層(802)、第二金屬連接層(803)及所述導電襯底層(804)，其中，所述第一金屬連接層(801)設置于所述藍光發光組件及所述紅光發光組件上。
7.如權利要求6所述的芯片，其特征在于，所述反光金屬層(802)的厚度為800nm。
8.一種LED燈，包括燈罩，散熱裝置及多個LED燈珠，其特征在于，所述LED燈珠包括如權利要求1～7任一項所述的芯片。
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