[發明專利]一種霍爾元件模擬前端電路有效
| 申請號: | 201711382780.0 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN108106642B | 公開(公告)日: | 2019-12-27 |
| 發明(設計)人: | 劉洪剛;孫兵;常虎東;袁志鵬;肖冬萍 | 申請(專利權)人: | 蘇州聞頌智能科技有限公司 |
| 主分類號: | G01D5/14 | 分類號: | G01D5/14 |
| 代理公司: | 32103 蘇州創元專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 孫仿衛 |
| 地址: | 215600 江蘇省蘇州市張家港*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 霍爾元件 隔直電容 斬波開關 耐高溫 跨導運算放大器 模擬前端電路 電壓輸入 反饋電阻 高靈敏度 高線性度 輸入電阻 穩壓電路 扼流 射頻 引入 電路 時序控制電路 交流分量 失調電壓 輸出信號 輸入電壓 直流分量 低功耗 調制器 激勵源 噪聲 閃爍 輸出 | ||
1.一種霍爾元件模擬前端電路,其特征在于:包括霍爾元件、霍爾元件激勵源、電壓輸入、穩壓電路、射頻扼流電路、第一隔直電容、第二隔直電容、第一輸入電阻、第二輸入電阻、第一反饋電阻、第二反饋電阻、第一斬波開關、第二斬波開關、時序控制電路、跨導運算放大器、Sigma_Delta調制器;
所述霍爾元件,用于輸出第一輸出信號和第二輸出信號;
所述第一輸出信號依次通過所述第一隔直電容、所述第一輸入電阻、所述第一斬波開關、所述跨導運算放大器、所述第二斬波開關、所述Sigma_Delta調制器;
所述第二輸出信號依次通過所述第二隔直電容、所述第二輸入電阻、所述第一斬波開關、所述跨導運算放大器、所述第二斬波開關、所述Sigma_Delta調制器;
所述第一隔直電容和所述第二隔直電容,用于分別濾除所述第一輸出信號和所述第二輸出信號中的直流分量,并將交流分量輸送至所述跨導運算放大器;
所述Sigma_Delta調制器,用于輸出PWM編碼;
所述霍爾元件激勵源,用于為所述霍爾元件提供激勵;
所述電壓輸入,用于輸入電壓輸入信號;
所述電壓輸入信號依次經過所述穩壓電路、所述射頻扼流電路,再分別經過所述第一輸入電阻和所述第二輸入電阻,用于為所述跨導運算放大器提供所需的共模電壓;
所述穩壓電路和所述射頻扼流電路,用于穩定所述電壓輸入信號,并去除其中的交流分量,為所述跨導運算放大器提供穩定的直流共模電壓;
所述第一反饋電阻和所述第二反饋電阻,均用于為所述跨導運算放大器提供反饋;
所述第一斬波開關和所述第二斬波開關,均用于對閃爍噪聲和直流失調電壓進行調制,以降低閃爍噪聲和直流失調電壓的影響;
所述時序控制電路,用于為所述第一斬波開關和所述第二斬波開關提供控制時序;
所述霍爾元件包括半絕緣襯底層,所述半絕緣襯底層為半絕緣砷化鎵單晶襯底;
所述霍爾元件包括磁敏功能層,所述磁敏功能層為鋁鎵砷疊層二維電子氣結構、銦鎵砷疊層二維電子氣結構、砷化鎵疊層二維電子氣結構、摻雜的砷化鎵單晶層中的一種;
所述穩壓電路、所述射頻扼流電路、所述第一隔直電容、所述第二隔直電容、所述第一輸入電阻、所述第二輸入電阻、所述第一反饋電阻、所述第二反饋電阻、所述第一斬波開關、所述第二斬波開關、所述時序控制電路、所述跨導運算放大器、所述Sigma_Delta調制器的襯底均為SOI襯底。
2.根據權利要求1所述的一種霍爾元件模擬前端電路,其特征在于:所述霍爾元件激勵源為電流源,所述霍爾元件為電流工作模式;
或;
所述霍爾元件激勵源為電壓源,所述霍爾元件為電壓工作模式。
3.根據權利要求1所述的一種霍爾元件模擬前端電路,其特征在于:所述第一隔直電容和所述第二隔直電容的電容值相同。
4.根據權利要求1所述的一種霍爾元件模擬前端電路,其特征在于:所述第一輸入電阻和所述第二輸入電阻的電阻值相同。
5.根據權利要求1所述的一種霍爾元件模擬前端電路,其特征在于:所述第一反饋電阻和所述第二反饋電阻的電阻值相同;
所述第一反饋電阻和所述第二反饋電阻均為可變電阻或固定電阻。
6.根據權利要求1所述的一種霍爾元件模擬前端電路,其特征在于:所述Sigma_Delta調制器,至少包括積分器和量化器,用于處理所述跨導運算放大器輸出的信號,并輸出PWM編碼。
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