[發明專利]一種Mo合金基體上MoTaAl涂層的制備方法在審
| 申請號: | 201711382567.X | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN108149208A | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 張俊彥;張帆;梁愛民;高凱雄;牛博龍 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02 |
| 代理公司: | 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002 | 代理人: | 周瑞華 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 打底層 金屬靶 沉積 清洗 真空室抽真空 離子鍍設備 成分控制 磁控濺射 基體表面 基體清洗 結構致密 氧化現象 基體無 真空室 靶材 鍍層 放入 轟擊 | ||
1.一種Mo合金基體上MoTaAl涂層的制備方法,其特征在于MoTaAl涂層中各組分的含量為Mo 52~72 wt%、Ta 22~40 wt%、Al 3~10 wt%,厚度為3~50μm,制備的具體步驟為:
1)基體經機械沙紙打磨、化學電解拋光去油、去離子水沖洗、烘干、酒精超聲波清洗、烘干、丙酮超聲波清洗、烘干;
2)將Mo合金基體清洗干燥后放入磁控濺射離子鍍設備的真空室中,靶材至少包含一個純Mo靶、一個純Ta靶和一個純Mo金屬靶,將真空室抽真空到 1×10-5~9×10-5Torr;
3)對Mo合金基體進行離子轟擊清洗:通入Ar氣,流量為 5~25sccm ,時間為12~30min;
4)沉積Mo打底層:調整靶電流分別為:IMo為0.2~1A;調整工件的負偏壓為-150~-l00V,時間為5~20min;
5)沉積MoTaAl鍍層:調整靶電流分別為:IMo為1~5A,ITa為0.5~4A, IAl為0.6~5A;調整工件的負偏壓為-90~-40V,時間為30~400min;鍍膜完成后,冷卻至室溫,取出試樣即可。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于所述Mo合金基體為純Mo、鎢Mo合金、Mo鈦合金、Mo鎬合金、稀土Mo合金或多元系Mo合金。
3.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于所述Mo合金基體為Mo合金棒、Mo合金管、Mo合金片或異型件。
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