[發(fā)明專利]智能LED射燈

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711382533.0
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108105647B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設計）人: 張亮
• 申請（專利權）人: 西安智盛銳芯半導體科技有限公司
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V23/00;F21V29/83;F21V19/00;H01L33/08;F21Y115/10;F21Y113/17
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 黃晶晶

1.一種智能LED射燈，其特征在于，包括：燈頭(1)、燈座(2)、智能模塊(3)和控制模塊(4)；其中，所述燈頭(1)設置于所述燈座(2)的第一端面，所述智能模塊(3)和所述控制模塊(4)均設置于所述燈座(2)的第二端面；所述燈頭(1)內設置有一個或多個三色LED燈；

所述三色LED燈包括：

導電襯底；

反光層，設置于所述導電襯底上；

第一電極，設置于所述反光層上；

藍光外延層、紅光外延層及綠光外延層，均設置于所述反光層上；

隔離層，設置于所述反光層上以使所述藍光外延層、紅光外延層及綠光外延層之間相互隔離；

第二電極，分別設置于所述藍光外延層、紅光外延層及綠光外延層上；

鈍化層，覆蓋于所述藍光外延層、紅光外延層、綠光外延層及所述隔離層上；

其中，

所述藍光外延層（14）包括：第一緩沖層（141）、第一穩(wěn)定層（142）、第一過渡層（143）、第一有源層（144）、第一阻擋層（145）及第一接觸層（146）；所述第一接觸層（146）、所述第一阻擋層（145）、所述第一有源層（144）、所述第一過渡層（143）、所述第一穩(wěn)定層（142）及所述第一緩沖層（141）依次層疊于所述第一電極（13）上表面第一指定區(qū)域；第一緩沖層（141）、第一穩(wěn)定層（142）以及第一過渡層（143）均為N型GaN材料；第一有源層（144）為由第一InGaN量子阱（1441）和第一GaN勢壘（1442）交替層疊形成的第一多重結構；

所述紅光外延層（15）包括：第二緩沖層（151）、第二穩(wěn)定層（152）、第二過渡層（153）、第二有源層（154）、第二阻擋層（155）及第二接觸層（156）；所述第二接觸層（156）、所述第二阻擋層（155）、所述第二有源層（154）、所述第二過渡層（153）、所述第二穩(wěn)定層（152）及所述第二緩沖層（151）依次層疊于所述第一電極（13）上表面第二指定區(qū)域；第二緩沖層（151）為N型GaN材料，第二穩(wěn)定層（152）和第二過渡層（153）均為N型GaAs材料；第二有源層（154）為由GalnP量子阱（1541）和A1GaInP勢壘（1542）交替層疊形成的第二多重結構；

所述綠光外延層（16）包括：第三緩沖層（161）、第三穩(wěn)定層（162）、第三過渡層（163）、第三有源層（164）、第三阻擋層（165）及第三接觸層（166）；所述第三接觸層（166）、所述第三阻擋層（165）、所述第三有源層（164）、所述第三過渡層（163）、所述第三穩(wěn)定層（162）及所述第三緩沖層（161）依次層疊于所述第一電極（13）上表面第三指定區(qū)域；第三緩沖層（161）、第三穩(wěn)定層（162）以及第三過渡層（163）均為N型GaN材料；第三有源層（164）為由第二InGaN量子阱（1641）和第二GaN勢壘（1642）交替層疊形成的第三多重結構。

2.根據權利要求1所述的智能LED射燈，其特征在于，還包括支架(5)，其中，所述支架(5)為開口端轉動連接在所述燈座(2)上的U型支架。

3.根據權利要求1所述的智能LED射燈，其特征在于，所述燈頭(1)還包括基板；其中，所述三色LED燈安裝于所述基板的第一端面；所述基板的第二端面上設置有驅動電路，所述驅動電路分別與所述三色LED燈和所述控制模塊(4)電連接，用于驅動所述三色LED燈發(fā)光。

4.根據權利要求3所述的智能LED射燈，其特征在于，所述基板內設置有多個圓孔。

5.根據權利要求4所述的智能LED射燈，其特征在于，所述燈座(2)內設置有通氣孔；其中，所述通氣孔的第一端口與所述基板連接，所述通氣孔的第二端口位于所述燈座(2)的第二端面。

6.根據權利要求1所述的智能LED射燈，其特征在于，所述智能模塊(3)包括：所述智能LED射燈的唯一識別碼或通訊地址、溫度采集單元、語音采集單元和無線傳輸單元；其中，所述溫度采集單元、所述語音采集單元和所述無線傳輸單元均電連接所述控制模塊(4)。