[發明專利]基于GaN材料的雙色LED芯片在審
| 申請號： | 201711382481.7 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108123016A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 冉文方 | 申請（專利權）人： | 西安智盛銳芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/08 | 分類號： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黃晶晶 |
| 地址： | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延層 藍光 紫光 隔離層 雙色LED 襯底 電極 芯片 鈍化層 反光層 上表面 熒光粉 制備工藝 單芯片 下表面 制備 | ||
1.一種基于GaN材料的雙色LED芯片(10)，其特征在于，包括：襯底(11)、GaN藍光外延層(12)、GaN紫光外延層(13)、隔離層(14)、電極(15)、鈍化層(16)及反光層(17)；其中，
所述GaN藍光外延層(12)、所述GaN紫光外延層(13)及所述隔離層(14)均設置于所述襯底(11)上表面且所述隔離層(14)位于所述GaN藍光外延層(12)與所述GaN紫光外延層(13)之間；
所述電極(15)分別設置于所述GaN藍光外延層(12)與所述GaN紫光外延層(13)上；
所述鈍化層(16)設置于所述GaN藍光外延層(12)、所述GaN紫光外延層(13)及所述隔離層(14)上表面；
所述反光層(17)設置于所述襯底(11)下表面。
2.根據權利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述襯底(11)為藍寶石襯底。
3.根據權利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述GaN藍光外延層(12)包括：第一GaN緩沖層(121)、第一GaN穩定層(122)、第一n型GaN層(123)、第一有源層(124)、第一p型AlGaN阻擋層(125)及第一p型GaN接觸層(126)；其中，
所述第一GaN緩沖層(121)、所述第一GaN穩定層(122)、所述第一n型GaN層(123)、所述第一有源層(124)、所述第一p型AlGaN阻擋層(125)及所述第一p型GaN接觸層(126)依次層疊于所述襯底(11)上表面第一指定區域。
4.根據權利要求3所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述第一有源層(124)為InGaN量子阱(1241)/GaN勢壘(1242)多重結構。
5.根據權利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述GaN紫光外延層(13)包括：第二GaN緩沖層(131)、第二GaN穩定層(132)、第二n型GaN層(133)、第二有源層(134)、第二p型AlGaN阻擋層(135)及第二p型GaN接觸層(136)；其中，
所述第二GaN緩沖層(131)、所述第二GaN穩定層(132)、所述第二n型GaN層(133)、所述第二有源層(134)、所述第二p型AlGaN阻擋層(135)及所述第二p型GaN接觸層(136)依次層疊于所述襯底(11)上表面第二指定區域。
6.根據權利要求5所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述第二有源層(134)為Al1-xGaxN量子阱(1341)/Al1-yGayN勢壘(1342)多重結構。
7.根據權利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述電極(15)包括金屬硅化物(151)與金屬(152)；其中，
所述金屬硅化物(151)設置于所述GaN藍光外延層(12)與所述GaN紫光外延層(13)上表面；
所述金屬(152)設置于所述金屬硅化物(151)上表面。
8.根據權利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述鈍化層(16)材料為二氧化硅。
9.根據權利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述反光層(17)材料為Al、Ti或Ni。
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