[發明專利]一種LED芯片

在審

• 申請號: 201711382451.6
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108063177A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 尹曉雪
• 申請（專利權）人: 西安智盛銳芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 黃晶晶

1.一種LED芯片，其特征在于，包括，

襯底層(11)；

燈芯層，所述燈芯層包括生長在所述襯底層(11)上的藍光外延層，所述藍光外延層中分別設置相鄰的紅光燈芯槽和綠光燈芯槽，所述紅光燈芯槽內設置紅光外延層，所述綠光燈芯槽內設置綠光外延層；

所述藍光外延層、紅光外延層和綠光外延層的上表面設置增透膜(1001)；

電極，所述電極包括上電極(51)和下電極(52)，所述上電極(51)設置在所述增透膜(1001)上。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述藍光外延層自下向上依次包括：GaN緩沖層(101)、GaN穩定層(102)、摻Si的n型GaN層(103)、由InGaN/GaN多量子阱結構形成的有源層(104)、p型AlGaN阻擋層(105)、p型GaN接觸層(106)。

3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述紅光外延層自下向上依次包括：GaN緩沖層(401)、n型GaAs緩沖層(402)、n型GaAs穩定層(403)、由GalnP/A1GaInP多量子阱結構形成的有源層(404)、p型A1GaInP阻擋層(405)和p型GaAs接觸層(406)；

所述綠光外延層自下向上依次包括：GaN緩沖層(201)、n型GaAs緩沖層(202)、n型GaAs穩定層(203)、由GalnP/A1GaInP多量子阱結構形成的有源層(204)、p型A1GaInP阻擋層(205)和p型GaAs接觸層(206)。

4.根據權利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述紅光燈芯槽和所述綠光燈芯槽相連接，且所述紅光燈芯槽和所述綠光燈芯槽分別以所述藍光外延層的所述GaN緩沖層(101)為槽底。

5.根據權利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述上電極(51)分別設置在所述藍光外延層、所述紅光外延層和所述綠光外延層所在區域對應的增透膜(1001)的上表面；

所述下電極(52)設置于所述藍光外延層的所述GaN穩定層(102)上。

6.根據權利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述藍光外延層上、所述紅光燈芯槽內和所述綠光燈芯槽內分別設置一對上電極(51)和下電極(52)。

7.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述增透膜(1001)為TiO2材料制成，且所述增透膜(1001)的厚度為透射光波長的1/4。

8.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述紅光燈芯槽和所述綠光燈芯槽為矩形槽，邊長的范圍為：大于50微米，小于300微米。

9.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述紅光燈芯槽的槽壁和所述綠光燈芯槽的槽壁均由SiO2層構成，所述SiO2層的厚度介于20-100納米之間。

10.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述由InGaN/GaN多量子阱結構形成的有源層(104)中，所述InGaN的厚度范圍為1.5-3.5納米，其中In的含量范圍為10-20％；所述GaN的厚度范圍為5-10納米。